[发明专利]具有选择性掺杂间隔的全包围栅极碳纳米管晶体管有效
| 申请号： | 201380063493.7 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN104969335B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | A·D·富兰克林;S·O·科斯瓦塔;J·T·史密斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 牛南辉,于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种制造半导体器件的方法。在衬底上形成碳纳米管。移除衬底部分以在所述碳纳米管的一段之下形成凹陷。在所述凹陷中施加掺杂的材料以制造所述半导体器件。该凹陷可位于形成在衬底上的一个或多个接触之间，该一个或多个接触由间隙分离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 选择性 掺杂 间隔 包围 栅极 纳米 晶体管 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成碳纳米管；移除部分衬底以在所述碳纳米管的一段之下形成凹陷；向在所述凹陷中除了所述碳纳米管的该段的表面之外的暴露表面施加掺杂的电介质材料以制造所述半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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