[发明专利]氧化物半导体薄膜及其制造方法以及薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201380060993.5 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104798205A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 中山德行 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/08;C23C14/58;H01L21/336;H01L21/363;H01L29/24 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;李英艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，通过氧化物结晶质薄膜提供具有比较高的载流子迁移率并且适宜作为TFT的信道层材料的氧化物半导体薄膜。该氧化物半导体薄膜是通过对由含有铟和钛的氧化物构成且钛含量以Ti/In原子数比计为0.005～0.12的非晶质膜，以250℃以上的加热温度以及1分钟～120分钟的处理时间进行退火处理而获得。所述氧化物半导体薄膜是结晶质薄膜且仅由方铁锰矿型结构的In2O3相构成，并且载流子浓度为1×1019cm-3以下，载流子迁移率为1cm2/Vsec以上。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜 及其 制造 方法 以及 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体薄膜，其特征在于，所述氧化物半导体薄膜由含有铟和钛的氧化物构成，并且，钛含量以Ti/In原子数比计为0.005～0.12，并且，所述氧化物半导体薄膜是结晶质的薄膜且仅由方铁锰矿型结构的In2O3相构成，并且，载流子浓度为1×1019cm‑3以下，载流子迁移率为1cm2/Vsec以上。
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