[发明专利]用于生产半导体结构的方法有效
| 申请号： | 201380056283.5 | 申请日： | 2013-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN104756229B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 戴维·沃夫雷;休伯特·波诺 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 徐川;武晨燕 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于在表面包括硅的衬底(100)的表面(105)上制造至少一个半导体结构(130)的方法。该方法包括以下步骤：提供衬底(100)；形成与表面(105)的被称为形成区的区域(101)接触的第一材料层(120)，表面(105)的被称为自由区的剩余部分(102)保持没有所述第一材料，形成区(101)的尺寸与第一材料适合于形成结构(130)，第一材料包括镓，所述第一材料层(120)的形成发生在低于600摄氏度的温度下，并且形成与第一材料层(120)接触的结构(130)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在衬底(100)的表面(105)上制造至少一个半导体结构(130)的制造方法，所述方法包括以下步骤：提供所述衬底(100)，所述衬底(100)的所述表面包括硅；形成与所述表面(105)的被称为形成区的区域(101)接触的第一材料层(120)，所述表面(105)的被称为自由区的剩余部分(102)保持没有第一材料，所述形成区(101)的尺寸和所述第一材料适合于形成所述形成区的横向尺寸介于100nm与1μm之间的所述结构(130)，所述第一材料包括镓，所述第一材料层(120)的形成发生在低于600摄氏度的温度下；以及形成与所述第一材料层(120)接触的所述结构(130)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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