[发明专利]包含金属的半导体聚合物点、它的制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201380052601.0 申请日: 2013-10-08
公开(公告)号: CN104903706B 公开(公告)日: 2018-12-28
发明(设计)人: D·T·邱;孙伟;于江波;吴长锋 申请(专利权)人: 华盛顿大学商业中心
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64;G01N21/76;B82B1/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 郭辉;江磊
地址: 美国华*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供含金属的(MC)半导体(SC)P点(MC‑SC‑P点),其中其具有对细胞成像和操作都有益的功能。所述P点包括含至少一种金属的至少一种纳米颗粒,和与纳米颗粒结合的半导体聚合物。
搜索关键词: 包含 金属 半导体 聚合物 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种含金属的半导体聚合物点,其包括:(i)包括金属的纳米颗粒,其中:(a)所述金属是Au;或(b)所述纳米颗粒是磁性纳米颗粒且所述金属选自:Ni、Co、Ga或Fe;或者Ni、Co、Ga或Fe的氧化物;或Ni、Co、Ga或Fe的络合物;或Ni、Co、Ga或Fe的合金;或下述物质的任何组合:Ni、Co、Ga或Fe,Ni、Co、Ga或Fe的氧化物,Ni、Co、Ga或Fe的络合物,或Ni、Co、Ga或Fe的合金,和(ii)包封纳米颗粒的半导体聚合物,其中半导体聚合物是荧光团,并且其中该半导体聚合物包括至少50%体积/体积含金属的半导体聚合物点或其中一组含金属的半导体聚合物点的平均直径为小于80nm。
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