[发明专利]包含金属的半导体聚合物点、它的制备方法和应用

权利要求书

1.一种含金属的半导体聚合物点，其包括:

(i)包括金属的纳米颗粒，其中：

(a)所述金属是Au；或

(b)所述纳米颗粒是磁性纳米颗粒且所述金属选自：

Ni、Co、Ga或Fe；或者

Ni、Co、Ga或Fe的氧化物；或

Ni、Co、Ga或Fe的络合物；或

Ni、Co、Ga或Fe的合金；或

下述物质的任何组合：Ni、Co、Ga或Fe，Ni、Co、Ga或Fe的氧化物，Ni、Co、Ga或Fe的络合物，或Ni、Co、Ga或Fe的合金，和

(ii)包封纳米颗粒的半导体聚合物，

其中半导体聚合物是荧光团，并且其中该半导体聚合物包括至少50％体积/体积含金属的半导体聚合物点或其中一组含金属的半导体聚合物点的平均直径为小于80nm。

2.如权利要求1所述的含金属的半导体聚合物点，其特征在于，纳米颗粒由一种金属颗粒组成。

3.如权利要求2所述的含金属的半导体聚合物点，其特征在于，所述一种金属颗粒包括Au或Fe。

4.如权利要求2所述的含金属的半导体聚合物点，其特征在于，所述一种金属颗粒包括FeO_x，其中x等于a/b，其中a是1,2,3,4,5,6,7,8,9,或10，b是1,2,3,4,5,6,7,8,9,或10。

5.如权利要求1所述的含金属的半导体聚合物点，其特征在于，半导体聚合物形成至少50％体积/体积含金属的半导体聚合物点，以及其中一组含金属的半导体聚合物点的平均直径为小于80nm。

6.如权利要求1所述的含金属的半导体聚合物点，其特征在于，半导体聚合物形成至少80％体积/体积含金属的半导体聚合物点。

7.如权利要求1所述的含金属的半导体聚合物点，其特征在于，纳米颗粒连接到疏水性聚合物以形成疏水性核。

8.如权利要求1所述的含金属的半导体聚合物点，其特征在于，其吸收波长为350nm-850nm。

9.一种纳米沉淀权利要求1所述含金属的半导体聚合物点的方法，所述方法包括：

在水性溶液中混合疏水性、相转移的含金属的纳米颗粒以及半导体聚合物，由此将纳米颗粒卡在半导体聚合物基质之内，由此形成含金属的半导体聚合物点。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，纳米颗粒由一种金属颗粒组成。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，使用蔗糖步进梯度将含金属的半导体聚合物点与空聚合物点分离。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，使用离心将含金属的半导体聚合物点与空聚合物点进一步分离。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，各含金属的半导体聚合物点只包括一种纳米颗粒。

14.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括使纳米颗粒接触甲苯以形成所述疏水性、相转移的纳米颗粒。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，甲苯包括具有硫醇-封端的官能团的半导体聚合物。

16.如权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括使用离心将所述疏水性、相转移的纳米颗粒与甲苯分离。

17.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述混合借助超声来进行。