[发明专利]用于制造发光二极管显示器的方法和发光二极管显示器有效
申请号: | 201380052303.1 | 申请日: | 2013-09-30 |
公开(公告)号: | CN104704634B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 诺温·文马尔姆;马丁·曼德尔;亚历山大·F·普福伊费尔;布丽塔·格厄特茨 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L25/075 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 在至少一个实施方式中,方法设立用于制造发光二极管显示器(1)。所述方法包括下述步骤:·A)提供生长衬底(2),·B)将缓冲层(4)间接地或者直接地施加到衬底上侧(20)上,·C)在缓冲层(4)处或在缓冲层上产生多个分开的生长点(45),·D)从生长点(45)起产生各个辐射活性的岛(5),其中岛(5)分别包括具有至少一个有源区(55)的无机的半导体层序列(50),并且在衬底上侧(20)的俯视图中观察,岛(5)的平均直径在50nm和20μm之间,其中包括边界值,以及·E)将岛(5)与晶体管(6)互联以用于电控制所述岛(5)。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管显示器 缓冲层 衬底 生长点 半导体层序列 电控制 俯视图 晶体管 源区 制造 互联 施加 辐射 生长 观察 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造发光二极管显示器(1)的方法,所述方法具有下述步骤:A)提供具有衬底上侧(20)的生长衬底(2);B)将至少一个缓冲层(3,4)间接地或者直接地施加到所述衬底上侧(20)上;C)在所述缓冲层(3,4)处或在所述缓冲层上产生多个分开的生长点(45);D)从所述生长点(45)起产生各个辐射活性的岛(5),其中所述岛(5)分别包括具有至少一个有源区(55)的无机的半导体层序列(50),并且在所述衬底上侧(20)的俯视图中观察,所述岛(5)的平均直径在50nm和20μm之间,其中包括边界值,其中所述岛(5)的平均高度和平均直径的长宽比大于1并且小于25;以及E)将所述岛(5)与晶体管(6)互联以用于电控制所述岛(5),其中在所述生长衬底(2)中产生所述晶体管(6),在所述生长衬底上外延地生长辐射活性的所述岛(5),使得在所述生长衬底(2)的俯视图中来观察,所述晶体管(6)和分别所属的所述岛(5)重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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