[发明专利]用于制造发光二极管显示器的方法和发光二极管显示器有效

专利信息
申请号: 201380052303.1 申请日: 2013-09-30
公开(公告)号: CN104704634B 公开(公告)日: 2018-09-11
发明(设计)人: 诺温·文马尔姆;马丁·曼德尔;亚历山大·F·普福伊费尔;布丽塔·格厄特茨 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L25/075
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 丁永凡;张春水
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 在至少一个实施方式中,方法设立用于制造发光二极管显示器(1)。所述方法包括下述步骤:·A)提供生长衬底(2),·B)将缓冲层(4)间接地或者直接地施加到衬底上侧(20)上,·C)在缓冲层(4)处或在缓冲层上产生多个分开的生长点(45),·D)从生长点(45)起产生各个辐射活性的岛(5),其中岛(5)分别包括具有至少一个有源区(55)的无机的半导体层序列(50),并且在衬底上侧(20)的俯视图中观察,岛(5)的平均直径在50nm和20μm之间,其中包括边界值,以及·E)将岛(5)与晶体管(6)互联以用于电控制所述岛(5)。
搜索关键词: 发光二极管显示器 缓冲层 衬底 生长点 半导体层序列 电控制 俯视图 晶体管 源区 制造 互联 施加 辐射 生长 观察
【主权项】:
1.一种用于制造发光二极管显示器(1)的方法,所述方法具有下述步骤:A)提供具有衬底上侧(20)的生长衬底(2);B)将至少一个缓冲层(3,4)间接地或者直接地施加到所述衬底上侧(20)上;C)在所述缓冲层(3,4)处或在所述缓冲层上产生多个分开的生长点(45);D)从所述生长点(45)起产生各个辐射活性的岛(5),其中所述岛(5)分别包括具有至少一个有源区(55)的无机的半导体层序列(50),并且在所述衬底上侧(20)的俯视图中观察,所述岛(5)的平均直径在50nm和20μm之间,其中包括边界值,其中所述岛(5)的平均高度和平均直径的长宽比大于1并且小于25;以及E)将所述岛(5)与晶体管(6)互联以用于电控制所述岛(5),其中在所述生长衬底(2)中产生所述晶体管(6),在所述生长衬底上外延地生长辐射活性的所述岛(5),使得在所述生长衬底(2)的俯视图中来观察,所述晶体管(6)和分别所属的所述岛(5)重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司,未经欧司朗光电半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380052303.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top