[发明专利]用于制造发光二极管显示器的方法和发光二极管显示器

说明书

在至少一个实施方式中，方法设立用于制造发光二极管显示器(1)。所述方法包括下述步骤：·A)提供生长衬底(2)，·B)将缓冲层(4)间接地或者直接地施加到衬底上侧(20)上，·C)在缓冲层(4)处或在缓冲层上产生多个分开的生长点(45)，·D)从生长点(45)起产生各个辐射活性的岛(5)，其中岛(5)分别包括具有至少一个有源区(55)的无机的半导体层序列(50)，并且在衬底上侧(20)的俯视图中观察，岛(5)的平均直径在50nm和20μm之间，其中包括边界值，以及·E)将岛(5)与晶体管(6)互联以用于电控制所述岛(5)。

技术领域

提出一种用于制造发光二极管显示器的方法。此外，提出一种发光二极管显示器。

发明内容

待实现的目的在于：提出一种方法，借助于所述方法可制造高质量的微像素化的发光二极管显示器。

此外，该目的通过具有根据本发明的实施例的特征的方法和发光二极管显示器实现。优选的改进方案从如下描述中得到。

根据至少一个实施方式，提出一种用于制造发光二极管显示器的方法。发光二极管显示器能够表示：在运行时由显示器所发射的辐射完全地或大部分地借助于发光二极管、简称LED产生。发光二极管显示器能够是有源矩阵显示器。可行的是，发光二极管显示器不具有液晶矩阵。

根据至少一个实施方式，所述方法包括提供生长衬底的步骤。生长衬底具有衬底上侧。生长衬底例如是蓝宝石衬底或者硅衬底。

根据至少一个实施方式，所述方法包括将一个或多个缓冲层间接或者直接施加到衬底上侧上的步骤。至少一个缓冲层能够与衬底上侧直接接触或者通过一个或多个中间层与衬底上侧隔开。

根据至少一个实施方式，所述方法具有产生多个分开的生长点的步骤。生长点在缓冲层处、在其中和/或在其上产生。生长点例如是缓冲层的特定的、局部的区域。

根据至少一个实施方式，所述方法具有产生各个辐射活性的岛的步骤。岛从生长点起产生，例如借助于外延生长来产生。

根据至少一个实施方式，岛分别包括无机的半导体层序列或者由这样的半导体层序列构成。岛的半导体层序列包含用于在发光二极管显示器运行时产生辐射的一个或多个有源区。有源区能够是单量子阱结构或者是多量子阱结构或者是pn结。

半导体层序列优选基于III-V族化合物半导体材料。半导体材料例如是氮化物化合物半导体材料、如Al_nIn_1-n-mGa_mN或者是磷化物化合物半导体材料如Al_nIn_1-n-mGa_mP或者还是砷化物化合物半导体材料如Al_nIn_1-n-mGa_mAs，其中分别地0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。在此，半导体层序列能够具有掺杂材料以及附加的组成部分。然而出于简单起见仅说明半导体层序列的晶格的主要组成部分、即Al、As、Ga、In、N或者P，即使这些组成部分能够部分地通过少量其它物质取代和/或补充时也如此。

根据至少一个实施方式，在衬底上侧的俯视图中观察，岛具有至少50nm的或者至少200nm的或者至少500nm的或者至少0.5μm的或者至少10μm的平均直径。替选地或者附加地，岛的平均直径为至多20μm或者至多5μm或者至多2μm。可行的是，岛具有>1的或者>2的或者>5的长宽比、即平均高度和平均直径的商。长宽比例如能够<25或者<20或者<15。

根据至少一个实施方式，所述方法具有将岛与晶体管互连的步骤。经由晶体管，岛可单独地或者成组地电控制。在此，恰好一个岛或者还有多个电并联的岛能够分别与恰好一个晶体管导电连接。换句话说，发光二极管显示器因此是所谓的微像素化的显示器，其中各个岛形成微像素。