[发明专利]使用多个流动途径的自由基化学调制及控制在审
| 申请号： | 201380048484.0 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN104641456A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | N·K·英格尔;A·王;X·陈 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡林岭 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了关于半导体处理腔室的系统及方法。示例性腔室可包括与腔室的第一出入口流体耦接的第一远端等离子体系统，及与腔室的第二出入口流体耦接的第二远端等离子体系统。系统亦可包括腔室中的气体分配组件，该气体分配组件可经配置以输送第一前驱物及第二前驱物两者进入腔室的处理区域内，同时保持第一前驱物及第二前驱物彼此流体隔离，直至该等前驱物经输送进入腔室的处理区域内为止。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 流动 途径 自由基 化学 调制 控制 | ||
【主权项】：
一种用于半导体处理的系统，该系统包含：腔室，该腔室经配置以在该腔室的处理区域内容纳半导体基板；第一远端等离子体系统，该第一远端等离子体系统与该腔室的第一出入口流体耦接且经配置以经由该第一出入口输送第一前驱物至该腔室内；第二远端等离子体系统，该第二远端等离子体系统与该腔室的第二出入口流体耦接且经配置以经由该第二出入口输送第二前驱物至该腔室内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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