[发明专利]氮化镓和金属氧化物的复合衬底有效
| 申请号： | 201380048079.9 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104781910B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 桥本忠朗 | 申请（专利权）人： | 希波特公司;首尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种解决与衬底表面质量相关的问题的新颖复合衬底。所述复合衬底具有至少两个层，其包括由GaxAlvIn1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤x+y≤1)组成的第一层和由金属氧化物组成的第二层，其中所述第二层可利用原位蚀刻在高温下移除，且其中所述金属氧化物的一部分或多个部分定位于穿透位错的端点或堆积缺陷的端线处以提供局部掩模来防止所述穿透位错或堆积缺陷的传播。所述金属氧化物层经设计用作所述第一层的保护层直到制作装置为止。所述金属氧化物层经设计，以便可在所述装置的制作反应器中借助气相蚀刻通过反应性气体(例如氨)将其移除。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 金属 氧化物 复合 衬底 | ||
【主权项】：
一种用于装置制作的复合衬底，其包括由GaxAlyIn1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤x+y≤1)组成的第一层和附接到所述第一层的表面的第二层，其中所述第二层由金属氧化物组成，所述第二层部分或完全覆盖所述第一层且可通过原位蚀刻在装置制作反应器中移除，其中所述金属氧化物含有至少一种镓、铝、铟、锌、镁、钙、钠、硅、锡和钛的氧化物，且其中所述第二层通过在1050℃或更低温度下用氨蚀刻来移除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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