[发明专利]氮化镓和金属氧化物的复合衬底

权利要求书

1.一种用于装置制作的复合衬底，其包括由Ga_xAl_yIn_1-x-yN(0≤x≤1，0≤x+y≤1)组成的第一层和附接到所述第一层的表面的第二层，其中所述第二层由金属氧化物组成，所述第二层部分或完全覆盖所述第一层且可通过原位蚀刻在装置制作反应器中移除，其中所述金属氧化物含有至少一种镓、铝、铟、锌、镁、钙、钠、硅、锡和钛的氧化物，且其中所述第二层通过在1050℃或更低温度下用氨蚀刻来移除。

2.根据权利要求1所述的复合衬底，且其中所述金属氧化物含有氧化镓。

3.根据权利要求1所述的复合衬底，其中所述金属氧化物的厚度多于一个原子层。

4.根据权利要求3所述的复合衬底，其中所述金属氧化物的厚度大到足以用x射线光电子能谱检测。

5.根据权利要求1所述的复合衬底，其中所述第一层包括高度定向的多晶或单晶GaN。

6.根据权利要求5所述的复合衬底，其中所述结晶GaN的位错和晶界的密度小于10⁵cm^-2。

7.根据权利要求5所述的复合衬底，其中所述金属氧化物在所述第一层的镓面上。

8.根据权利要求5所述的复合衬底，其中所述金属氧化物在所述第一层的氮面上。

9.根据权利要求5所述的复合衬底，其中所述金属氧化物在所述第一层的非极性m-面或a-面上。

10.根据权利要求5所述的复合衬底，其中所述金属氧化物在所述第一层的镓侧半极性面上。

11.根据权利要求5所述的复合衬底，其中所述金属氧化物在所述第一层的氮侧半极性面上。

12.根据权利要求1所述的复合衬底，其中将所述金属氧化物沉积于所述第一层上。