[发明专利]氮化镓和金属氧化物的复合衬底

说明书

相关申请案的交叉参考

本申请案主张优先于在2012年8月23日提出申请的标题为氮化镓与金属氧化物的复合衬底(COMPOSITE SUBSTRATE OF GALLIUM NITRIDE AND METAL OXIDE)、发明人桥本忠朗(Tadao Hashimoto)的美国申请案第61/692,411号的权益，所述申请案的全部内容如同在下文全部提出一样以引用方式并入。

本申请案涉及以下美国专利申请案：

在2005年7月8日由藤田健二(Kenji Fujito)、桥本忠朗和中村修二(Shuji Nakamura)提出申请的标题为“使用高压釜在超临界氨中生长III族-氮化物的方法(METHOD FOR GROWING GROUP III-NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA USING AN AUTOCLAVE)”的PCT实用新型专利申请案第US2005/024239号，代理人案号30794.0129-WO-01(2005-339-1)；

在2007年4月6日由桥本忠朗、齐藤诚(Makoto Saito）和中村修二提出申请的标题为“在超临界氨中生长大表面积的氮化镓晶体的方法和大表面积的氮化镓晶体(METHOD FOR GROWING LARGE SURFACE AREA GALLIUM NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA AND LARGE SURFACE AREA GALLIUM NITRIDE CRYSTALS)”的美国实用新型专利申请案第11/784,339号(代理人案号30794.179-US-U1(2006-204))，其在35U.S.C.条款119(e)下主张在2006年4月7日由桥本忠朗、齐藤诚和中村修二提出申请的标题为“在超临界氨中生长大表面积的氮化镓晶体的方法和大表面积的氮化镓晶体(METHOD FOR GROWING LARGE SURFACE AREA GALLIUM NITRIDE CRYSTALS IN SUPERCRITICAL AMMONIA AND LARGE SURFACE AREA GAL LIUM NITRIDE CRYSTALS)”的美国临时专利申请案第60/790,310号(代理人案号30794.179-US-P1(2006-204))的权益；

在2007年9月19日由桥本忠朗和中村修二提出申请的标题为“氮化镓块状晶体和其生长方法(GALLIUM NITRIDE BULK CRYSTALS AND THEIR GROWTH METHOD)”的美国实用新型专利申请案第60/973,662号，代理人案号30794.244-US-P1(2007-809-1)；

在2007年10月25日由桥本忠朗提出申请的标题为“在超临界氨和氮中生长III族-氮化物晶体的方法和由此生长的III族-氮化物晶体(METHOD FOR GROWING GROUP III-NITRIDE CRYSTALS IN A MIXTURE OF SUPERCRITICAL AMMONIA AND NITROGEN，AND GROUP III-NITRIDE CRYSTALS GROWN THEREBY)”的美国实用新型专利申请案第11/977,661号，代理人案号30794.253-US-U1(2007-774-2)；

在2008年2月25日由桥本忠朗、爱德华利托(Edward Letts)、碇正德(Masanori Ikari)提出申请的标题为“产生III族-氮化物品片的方法和III族-氮化物品片(METHOD FOR PRODUCING GROUP III-NITRIDE WAFERS AND GROUP III-NITRIDE WAFERS)”的美国实用新型专利申请案第61/067,117号，代理人案号62158-30002.00；

在2008年6月4日由爱德华利托、桥本忠朗、碇正德提出申请的标题为“通过氨热法从初始III族-氮化物品种产生经改善结晶性的III族-氮化物晶体的方法(METHODS FOR PRODUCING IMPROVED CRYSTALLINITY GROUP III-NITRIDE CRYSTALS FROM INITIAL GROUP III-NITRIDE SEED BY AMMONOTHERMAL GROWTH)”的美国实用新型专利申请案第61/058,900号，代理人案号62158-30004.00；