[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201380047510.8 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104620389B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 嶋田幸峰;锦博彦;纪藤贤一 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置(101)包括基板(1)；以氧化物半导体层(6)为有源层的薄膜晶体管(10)；覆盖薄膜晶体管的保护层(11)；配置在保护层(11)与基板(1)之间的金属层(9d、9t)；形成在保护层(11)上的透明导电层(13、13t)；和用于将金属层(9d、9t)与透明导电层(13、13t)电连接的连接部(20、30)，连接部(20、30)具有与氧化物半导体层(6)由相同的氧化物膜形成、且电阻比氧化物半导体层(6)低的氧化物连接层(6a、6t)，金属层(9d、9t)经氧化物连接层(6a、6t)与透明导电层(13、13t)电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：基板；由所述基板支承的以氧化物半导体层为有源层的薄膜晶体管；覆盖所述薄膜晶体管的保护层；配置在所述保护层与所述基板之间的金属层；形成在所述保护层上的透明导电层；和用于将所述金属层与所述透明导电层电连接的连接部，所述连接部具有与所述氧化物半导体层由相同的氧化物膜形成且电阻比所述氧化物半导体层低的氧化物连接层，所述金属层经所述氧化物连接层与所述透明导电层电连接，在所述连接部，所述透明导电层与所述金属层不直接接触。
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