[发明专利]含有钼的薄膜的制造方法、薄膜形成用原料及钼酰亚胺化合物在审
| 申请号： | 201380043243.7 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN104603327A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 佐藤宏树;上山润二 | 申请（专利权）人： | 株式会社艾迪科 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C07F17/00;C07F11/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的薄膜的制造方法中将含有钼酰亚胺化合物的蒸汽导入至基体上，使其分解和/或发生化学反应，从而在基体上形成含有钼的薄膜，所述钼酰亚胺化合物是使含有下述通式(I)所示的钼酰亚胺化合物而成的薄膜形成用原料汽化来获得的。本发明的薄膜形成用原料是含有下述通式(I)所示的钼酰亚胺化合物而成的。式中，R1～R10表示氢原子或者碳数为1～5的直链或支链状烷基，R11表示碳数为1～8的直链或支链状烷基。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 薄膜 制造 方法 形成 料及 亚胺 化合物 | ||
【主权项】：
一种薄膜的制造方法，其中，将含有钼酰亚胺化合物的蒸汽导入至基体上，使其分解和/或发生化学反应，从而在基体上形成含有钼的薄膜，所述钼酰亚胺化合物是使含有下述通式(I)所示的钼酰亚胺化合物而成的薄膜形成用原料汽化来获得的，式中，R1～R10表示氢原子或者碳数为1～5的直链或支链状烷基，R11表示碳数为1～8的直链或支链状烷基。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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