[发明专利]含有钼的薄膜的制造方法、薄膜形成用原料及钼酰亚胺化合物

说明书

技术领域

本发明涉及使用了使特定的钼酰亚胺化合物汽化的蒸汽的含有钼的薄膜的制造方法、利用该制造方法制造的含有钼的薄膜、该制造方法中使用的薄膜形成用原料及新型钼酰亚胺化合物。

背景技术

含有钼的薄膜可以用于有机发光二极管、液晶显示器、等离子体显示器面板、场致发射显示器、薄膜太阳能电池、低电阻欧姆以及其他电子设备及半导体设备，主要作为阻挡膜等电子部件的构件来使用。

作为上述薄膜的制造法，可举出溅射法、离子镀法、涂布热分解法或溶胶凝胶法等MOD法、化学气相沉积法等，由于具有组成控制性、高低差覆盖性优良、适合量产化、能够进行混合集成等多个优点，因此包含ALD(Atomic Layer Deposition，原子层沉积)法的化学气相沉积(以下有时也仅记载为CVD)法是最合适的制造方法。

作为CVD法用原料使用的钼化合物，以往已知各种钼化合物。例如，专利文献1中报道了双环戊二烯基钼二氢化物、双甲基环戊二烯基钼二氢化物、双乙基环戊二烯基钼二氢化物及双异丙基环戊二烯基钼二氢化物。但是，专利文献1中所公开的化合物具有熔点高、蒸汽压低、在利用加热的热分解后产生大量的残渣的问题，其作为CVD法用原料不是令人足够满意的化合物。

另外，非专利文献1中报道了双环戊二烯基酰亚胺钼化合物。但是，非专利文献1并未公开：双环戊二烯基酰亚胺钼化合物作为CVD法用原料是有用的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：US20060068100A1

非专利文献

非专利文献1：J.CHEM.SOC.DALTON TRANS 1995P.155-162

发明内容

发明要解决的课题

在利用CVD法的含有钼的薄膜的制造中，不能说在此之前提出的钼化合物具有充分的特性。对使CVD法等的化合物汽化而形成薄膜的原料适合的化合物(前体)所需要的性质为热稳定性高、熔点低、蒸汽压大、易于汽化。作为以往的钼源使用的化合物具有熔点高、蒸汽压低、而且在利用加热的热分解后产生大量的残渣的问题。当利用加热的热分解物的剩余部分大量产生时，有时会发生如下问题：该剩余部分是导致颗粒的原因，因此所需的薄膜膜质会发生劣化、配管或容器的洗涤变难、配管堵塞。

用于解决课题的手段

本发明人们进行了反复研究，结果发现利用将特定钼酰亚胺化合物用于前体的CVD法的含有钼的薄膜的制造方法能够解决上述课题，并完成了本发明。

本发明提供薄膜的制造方法和利用上述薄膜制造方法制造的含有钼的薄膜，上述薄膜的制造方法中，将含有钼酰亚胺化合物的蒸汽导入至基体上，使其分解和/或发生化学反应，从而在基体上形成含有钼的薄膜，上述钼酰亚胺化合物是使含有下述通式(I)所示的钼酰亚胺化合物而成的薄膜形成用原料汽化来获得的。

(式中，R¹～R¹⁰表示氢原子或者碳数为1～5的直链或支链状烷基、R¹¹表示碳数为1～8的直链或支链状烷基。)

另外，本发明提供含有上述通式(I)所示的钼酰亚胺化合物而成的薄膜形成用原料。

另外，本发明提供下述通式(II)所示的新型钼酰亚胺化合物。

(式中，R¹²～R²¹表示氢原子或者碳数为1～5的直链或支链状烷基，R²²、R²³分别表示甲基或乙基，R²⁴表示碳数为2～5的直链或支链状烷基。)

发明效果

根据本发明，通过使用含有特定的钼酰亚胺化合物而成的薄膜形成用原料，从而该化合物是热稳定性优良、熔点低、蒸汽压高的化合物，因此在利用CVD法的含有钼的薄膜的制造中，前体的输送性优良，能够易于控制向基体的供给量且稳定供给，可以制造批量生产性良好、质量良好的含有钼的薄膜。

附图说明

图1是表示本发明的含有钼的薄膜的制造方法中所使用的化学气相沉积用装置之一例的概要图。

图2是表示本发明的含有钼的薄膜的制造方法中所使用的化学气相沉积用装置的其他例的概要图。

图3是表示本发明的含有钼的薄膜的制造方法中所使用的化学气相沉积用装置的其他例的概要图。

图4是表示本发明的含有钼的薄膜的制造方法中所使用的化学气相沉积用装置的其他例的概要图。