[发明专利]含有钼的薄膜的制造方法、薄膜形成用原料及钼酰亚胺化合物在审
申请号: | 201380043243.7 | 申请日: | 2013-10-15 |
公开(公告)号: | CN104603327A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 佐藤宏树;上山润二 | 申请(专利权)人: | 株式会社艾迪科 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C07F17/00;C07F11/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 白丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含有 薄膜 制造 方法 形成 料及 亚胺 化合物 | ||
1.一种薄膜的制造方法,其中,将含有钼酰亚胺化合物的蒸汽导入至基体上,使其分解和/或发生化学反应,从而在基体上形成含有钼的薄膜,所述钼酰亚胺化合物是使含有下述通式(I)所示的钼酰亚胺化合物而成的薄膜形成用原料汽化来获得的,
式中,R1~R10表示氢原子或者碳数为1~5的直链或支链状烷基,R11表示碳数为1~8的直链或支链状烷基。
2.一种薄膜形成用原料,其是含有权利要求1所述的薄膜的制造方法中使用的下述通式(I)所示的钼酰亚胺化合物而成的,
式中,R1~R10表示氢原子或者碳数为1~5的直链或支链状烷基,R11表示碳数为1~8的直链或支链状烷基。
3.下述通式(II)所示的钼酰亚胺化合物,
式中,R12~R21表示氢原子或者碳数为1~5的直链或支链状烷基,R22、R23分别表示甲基或乙基,R24表示碳数为2~5的直链或支链状烷基。
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