[发明专利]以反熔丝为特征的集成电路器件及其制造方法

摘要

一种集成电路(例如OTP或MTP存储器电路)包括存取晶体管(10)和反熔丝(102)。该存取晶体管包括至少一个源极/漏极区(106，08)，而该反熔丝具有导体‑绝缘体‑导体结构。该反熔丝包括充当第一电极(134)的第一导体，并且还包括反熔丝电介质(136)、和第二导体(114，304)。第一电极的第一表面耦合至该反熔丝电介质的第一表面，该反熔丝电介质的第二表面耦合至该第二导体的第一表面。该第二导体电耦合至该存取晶体管的源极/漏极区。该反熔丝被适配成在大于或等于反熔丝电介质击穿电压的编程电压Vpp被施加在第一电极和第二导体之间情况下从开路状态转换到闭路状态。还可提供电阻器(202)且其是从与该反熔丝的第一电极(134)相同的层形成的。该电阻器位于由与该反熔丝电介质相同的层制成的绝缘层(204)上。

主权项

1.一种集成电路，包括：含源极区和漏极区中的至少一者的存取晶体管；以及具有导体‑绝缘体‑导体结构的反熔丝，所述反熔丝包括第一电极、反熔丝电介质和第二电极，其中所述第一电极的第一表面耦合至所述反熔丝电介质的第一表面，所述反熔丝电介质的第二表面耦合至所述第二电极的第一表面，并且相异导体电耦合在所述第一电极的第二表面与通孔之间以及所述第二电极的第二表面与所述存取晶体管的源极区和漏极区中的所述至少一者之间，其中所述第一电极的第一电极宽度和所述第二电极的第二电极宽度各自大于所述相异导体的相异导体宽度，其中所述第一电极至少部分地位于与所述集成电路的电阻器相同的水平平面中。