[发明专利]半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201380033462.7 | 申请日: | 2013-06-26 |
公开(公告)号: | CN104412369B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 川守崇司;牧野龙也;祖父江省吾;畠山惠一;松崎隆行 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;C09J7/00;C09J11/04;C09J179/08;H01L21/301;H01L21/683 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 王灵菇,白丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的半导体装置的制造方法是具备将半导体晶片单片化而得到的半导体元件的半导体装置的制造方法,其具备以下工序在支撑部件(60)与半导体晶片(70)之间配置临时固定用薄膜(20),将支撑部件和半导体晶片临时固定的临时固定工序;对临时固定在支撑部件上的半导体晶片的与临时固定用薄膜相反一侧的面进行磨削的磨削工序;和从所磨削的半导体晶片上将临时固定用薄膜剥离的半导体晶片剥离工序;并且,作为半导体晶片,使用在与支撑部件相对的面的外周部实施了切边(75)的半导体晶片,在临时固定工序中,在比切边部分更靠内侧处配置临时固定用薄膜。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,其特征在于,其是具备将半导体晶片单片化而得到的半导体元件的半导体装置的制造方法,其具备以下工序:临时固定工序:在支撑部件与所述半导体晶片之间配置临时固定用薄膜,将所述支撑部件和所述半导体晶片临时固定,磨削工序:对临时固定在所述支撑部件上的所述半导体晶片的与所述临时固定用薄膜相反一侧的面进行磨削,和半导体晶片剥离工序:从所磨削的所述半导体晶片上将所述临时固定用薄膜剥离;并且,作为所述半导体晶片,使用在与所述支撑部件相对的面的外周部实施了切边的半导体晶片,在所述临时固定工序中,在比所述切边部分更靠内侧处配置所述临时固定用薄膜;作为所述临时固定用薄膜,使用含有下述含环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物而成的临时固定用薄膜,所述含环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物是将包括具有环氧基的丙烯酸酯单体或具有环氧基的甲基丙烯酸酯单体的丙烯酸单体聚合而得到的,其重均分子量为10万以上且Tg为-50℃~50℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造