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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201380033462.7有效
发明人：川守崇司;牧野龙也;祖父江省吾;畠山惠一;松崎隆行 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的制造方法是具备将半导体晶片单片化而得到的半导体元件的半导体装置的制造方法，其具备以下工序在支撑部件(60)与半导体晶片(70)之间配置临时固定用薄膜(20)，将支撑部件和半导体晶片临时固定的临时固定工序；对临时固定在支撑部件上的半导体晶片的与临时固定用薄膜相反一侧的面进行磨削的磨削工序；和从所磨削的半导体晶片上将临时固定用薄膜剥离的半导体晶片剥离工序；并且，作为半导体晶片，使用在与支撑部件相对的面的外周部实施了切边(75)的半导体晶片，在临时固定工序中，在比切边部分更靠内侧处配置临时固定用薄膜。
半导体装置制造方法

[发明专利]粘接片-CN201180027958.4有效
发明人：中村祐树;宫原正信;片山阳二;玉置刚士;畠山惠一;池谷卓二 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2011-06-14 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：半导体装置制造用粘接片1，具备：基材薄膜10、配置于基材薄膜10上的粘接层20、配置于粘接层20上并且具有露出粘接层20的开口30a的粘接层30和配置于粘接层20中从开口30a露出的部分25上的芯片接合薄膜40，芯片接合薄膜40的外周的至少一部分与粘接层30相接。
粘接片

[发明专利]半导体用粘接膜、复合片及使用它们的半导体芯片的制造方法-CN201210191649.7无效
发明人：中村祐树;北胜勉;片山阳二;畠山惠一 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2008-03-31 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体用粘接膜，其能够在低温下贴附在半导体晶片，可以在充分地抑制芯片裂纹或毛刺的产生的同时，以良好的产品合格率由半导体晶片得到半导体芯片。本发明的半导体用粘接膜含有聚酰亚胺树脂，可以利用含有由下述化学式(I)表示的4，4’-氧双邻苯二甲酸酐的四羧酸二酐；与含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反应得到，能够在100℃以下贴附在半导体晶片。
半导体用粘接膜复合使用它们芯片制造方法

[发明专利]半导体用粘接膜、以及半导体芯片、半导体装置的制造方法-CN201110314139.X无效
发明人： 畠山惠一;中村祐树 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2008-10-07 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种带粘接膜半导体芯片的制造方法中使用的半导体用粘接膜，所述制造方法具备以下工序：准备层叠体的工序，其将半导体晶片、半导体用粘接膜及切割带以所述顺序层叠，其中，半导体用粘接膜具有1～15μm范围的厚度、具有小于5％的拉伸断裂伸长率、且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的110％，所述半导体晶片具有由激光照射而形成的用于将所述半导体晶片分割为多个半导体芯片的改性部；将切割带沿多个半导体芯片相互分离的方向拉伸，从而不分割所述半导体用粘接膜地将所述半导体晶片分割为所述多个半导体芯片的工序；以及将多个半导体芯片分别沿层叠体的层叠方向拾起，从而分割半导体用粘接膜，得到带粘接膜半导体芯片的工序。
半导体用粘接膜以及芯片装置制造方法

[发明专利]粘结薄膜的使用方法-CN201110008103.9无效
发明人：永井朗;安田雅昭;畠山惠一;榎本哲也 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2007-06-20 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供一种粘结薄膜的使用方法，该方法在高效地获得附有粘结薄膜的半导体芯片单片的同时，可以使半导体芯片与配线基板良好地连接。该使用方法，经过以半导体晶片(6)的电路面(6a)向着切割带(9)一侧的方式而将由切割带(9)、粘结薄膜(3)以及半导体晶片(6)按照这一顺序叠层所得的层压体(60)的准备工序，从与所述半导体晶片(6)的反面(6b)识别所述电路面(6a)的电路图案(P)进而识别切割位置的工序，至少将所述半导体晶片(6)以及所述粘结薄膜(3)在所述层压体(60)的厚度方向上切割的工序，得到连接于配线基板的半导体芯片单片，由此防止半导体芯片的污染，而且可以防止由飞散、流出引起的丢失。
粘结薄膜使用方法

[发明专利]半导体用粘接膜、复合片及使用它们的半导体芯片的制造方法-CN201110040150.1无效
发明人：中村祐树;北胜勉;片山阳二;畠山惠一 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2008-03-31 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： C09J7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体用粘接膜，其能够在低温下贴附在半导体晶片，可以在充分地抑制芯片裂纹或毛刺的产生的同时，以良好的产品合格率由半导体晶片得到半导体芯片。本发明的半导体用粘接膜含有聚酰亚胺树脂，可以利用含有由下述化学式(I)表示的4，4’-氧双邻苯二甲酸酐的四羧酸二酐；与含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反应得到，能够在100℃以下贴附在半导体晶片。
半导体用粘接膜复合使用它们芯片制造方法

[发明专利]带粘接膜半导体芯片的制造方法及用于该制造方法的半导体用粘接膜、以及半导体装置的制造方法-CN200880110812.4有效
发明人： 畠山惠一;中村祐树 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2008-10-07 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供一种带粘接膜半导体芯片的制造方法，其具备以下工序：准备层叠体的工序，其将半导体晶片、半导体用粘接膜及切割带以所述顺序层叠，其中，半导体用粘接膜具有1～15μm范围的厚度、具有小于5％的拉伸断裂伸长率、且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的110％，所述半导体晶片具有由激光照射而形成的用于将所述半导体晶片分割为多个半导体芯片的改性部；将切割带沿多个半导体芯片相互分离的方向拉伸，从而不分割所述半导体用粘接膜地将所述半导体晶片分割为所述多个半导体芯片的工序；以及将多个半导体芯片分别沿层叠体的层叠方向拾起，从而分割半导体用粘接膜，得到带粘接膜半导体芯片的工序。
带粘接膜半导体芯片制造方法用于用粘接膜以及装置

[发明专利]带粘接膜半导体芯片的制造方法及用于该制造方法的半导体用粘接膜、以及半导体装置的制造方法-CN200880110828.5无效
发明人： 畠山惠一;中村祐树 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2008-10-07 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供一种带粘接膜半导体芯片的制造方法，其具备以下工序：准备层叠体的工序，其至少将由多个半导体芯片构成的分割完成的半导体晶片、半导体用粘接膜和切割带进行层叠，所述由多个半导体芯片构成的分割完成的半导体晶片是通过在半导体晶片的一个面上以比半导体晶片的厚度小的深度形成将半导体晶片区分成多个半导体芯片的切痕、并将半导体晶片的未形成切痕的另一个面研削至达到所述切痕而得到的，所述半导体用粘接膜具有1～15μm范围的厚度、具有小于5％的拉伸断裂伸长率、且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的110％；将多个半导体芯片分别沿层叠体的层叠方向拾起，从而分割半导体用粘接膜，得到带粘接膜半导体芯片的工序。
带粘接膜半导体芯片制造方法用于用粘接膜以及装置

[发明专利]半导体芯片的制造方法和半导体用粘接膜及其复合片-CN200880010712.4无效
发明人：中村祐树;北胜勉;片山阳二;畠山惠一 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2008-03-31 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供既能够充分抑制芯片裂纹及毛刺的发生又能够从半导体晶片获得高合格率的半导体芯片的方法。该半导体芯片的制造方法具有以下工序：准备层叠体的工序，该层叠体顺次层叠半导体晶片、半导体用粘接膜以及切割胶带，从上述半导体晶片侧形成切槽，以使上述半导体晶片被分割为多个半导体芯片、并且上述半导体用粘接膜在厚度方向上的至少一部分不被切断而保留；以及将上述切割胶带在上述多个半导体芯片相互分离的方向上进行拉伸，由此沿着上述切槽来分割上述半导体用粘接膜的工序。上述半导体用粘接膜具有小于5％的拉伸断裂伸度，该拉伸断裂伸度小于最大负荷时的伸度的110％。
半导体芯片制造方法用粘接膜及其复合

[发明专利]半导体用粘接膜、复合片及使用它们的半导体芯片的制造方法-CN200880009599.8无效
发明人：中村祐树;北胜勉;片山阳二;畠山惠一 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2008-03-31 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体用粘接膜，其能够在低温下贴附在半导体晶片，可以在充分地抑制芯片裂纹或毛刺的产生的同时，以良好的产品合格率由半导体晶片得到半导体芯片。本发明的半导体用粘接膜含有聚酰亚胺树脂，可以利用含有由下述化学式(I)表示的4，4’-氧双邻苯二甲酸酐的四羧酸二酐；与含有由上述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反应得到，能够在100℃以下贴附在半导体晶片。
半导体用粘接膜复合使用它们芯片制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及粘结薄膜-CN200780023296.7无效
发明人：永井朗;安田雅昭;畠山惠一;榎本哲也 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2007-06-20 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，该方法在高效地获得附有粘结剂的半导体芯片单片的同时，可以使半导体芯片与配线基板良好地连接。该制造方法，经过以半导体晶片(6)的电路面(6a)向着切割带(9)一侧的方式而将由切割带(9)、粘结剂层(3)以及半导体晶片(6)按照这一顺序叠层所得的层压体(60)的准备工序，从与所述半导体晶片(6)的反面(6b)识别所述电路面(6a)的电路图案(P)进而识别切割位置的工序，至少将所述半导体晶片(6)以及所述粘结剂层(3)在所述层压体(60)的厚度方向上切割的工序，得到连接于配线基板的半导体芯片单片，由此防止半导体芯片的污染，而且可以防止由飞散、流出引起的丢失。
半导体装置制造方法粘结薄膜

[发明专利]膜状粘接剂及其制造方法以及粘接片和半导体装置-CN200810095237.7无效
发明人：增子崇;大久保惠介;畠山惠一;汤佐正己 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2004-06-10 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种膜状粘接剂、贴合该膜状粘接剂和切割胶带而形成的粘接片以及半导体装置，所述膜状粘接剂能够以较极薄晶片的保护胶带或者贴合的切割胶带的软化温度低的温度在晶片背面层积，并且可以降低晶片翘曲等的热应力，可以简化半导体装置的制造工序，进而耐热性及耐湿可靠性也优异。
膜状粘接剂及其制造方法以及粘接片半导体装置

[发明专利]切割用芯片粘贴薄膜-CN200580000511.2有效
发明人： 畠山惠一;宇留野道生;松崎隆行;盛岛泰正;喜多贤二;石渡伸一 -专利权人：日立化成工业株式会社;古河电气工业株式会社
申请日： 2005-03-15 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种切割用芯片粘贴薄膜，在进行切割时，其可作为切割用胶带使用，从而在进行取出时，半导体元件与接着剂层能容易地从粘合剂层进行剥离，且接着剂层在作为粘晶材料时，具有足够的接着性。前述粘合剂层包含：分子中含有碘值为0.5～20的放射线硬化性碳—碳双键的化合物(A)，和从聚异氰酸酯类、三聚氰胺甲醛树脂及环氧树脂所组成的族群中选择的至少一种的化合物(B)。前述接着剂层包含：环氧树脂(a)、羟基的当量大于等于150g/eq的酚醛树脂(b)、含有0.5～6重量％的丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯且重均分子量在10万以上的含有环氧基的丙烯酸共聚物(c)、填充剂(d)和硬化促进剂(e)。
切割芯片粘贴薄膜

[发明专利]膜状粘接剂及其制造方法以及粘接片和半导体装置-CN200480016096.5无效
发明人：增子崇;大久保惠介;畠山惠一;汤佐正己 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2004-06-10 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： C09J7/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种膜状粘接剂、贴合该膜状粘接剂和切割胶带而形成的粘接片以及半导体装置，所述膜状粘接剂能够以较极薄晶片的保护胶带或者贴合的切割胶带的软化温度低的温度在晶片背面层积，并且可以降低晶片翘曲等的热应力，可以简化半导体装置的制造工序，进而耐热性及耐湿可靠性也优异。
膜状粘接剂及其制造方法以及粘接片半导体装置

[发明专利]粘接剂组合物及其制造方法、使用它的粘接薄膜、半导体装载用基板及半导体装置-CN200410098048.7有效
发明人：稻田祯一;住谷圭二;富山健男;岩仓哲郎;川上广幸;铃木雅雄;松崎隆行;细川羊一;畠山惠一;岛田靖;田中裕子;栗谷弘之 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2001-02-15 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： C09J163/00 文献下载
摘要：一种粘接剂组合物及其制造方法，该组合物由环氧树脂(a)、固化剂(b)、以及与环氧树脂为非相溶的高分子化合物(c)所组成，必要时还包括填充剂(d)或/和固化促进剂(e)；其制造方法为：先混合环氧树脂(a)以及固化剂(b)与填充剂(d)，再混合与环氧树脂系为非相溶的高分子化合物(c)于该混合物。本发明还涉及将上述粘接剂组合物制成薄膜状而形成的粘接薄膜、于电路基板的芯片装载面设置有该粘接薄膜的半导体装载用基板、以及使用该粘接薄膜或半导体装载用基板的半导体装置。
粘接剂组合及其制造方法使用薄膜半导体装载用基板装置

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