[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201380033025.5 | 申请日： | 2013-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104380474B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 内田诚一;小川康行;宫本忠芳;伊东一笃;高丸泰;中泽淳;宫本光伸 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1343;G02F1/1368;G09F9/30 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置(100A)具有基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的层间绝缘层(8a)；和在层间绝缘层(8a)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着层间绝缘层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具有基板和在所述基板上形成的薄膜晶体管，该半导体装置的特征在于：所述薄膜晶体管具有：在所述基板上形成的栅极电极；在所述栅极电极上形成的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层；和与所述氧化物半导体层电连接的源极电极和漏极电极，所述半导体装置还具有：与所述栅极电极由相同的导电膜形成的栅极连接层；与所述源极电极由相同的导电膜形成的源极连接层；与所述漏极电极电连接的第一透明电极；在所述源极电极和所述漏极电极上形成的层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成的第二透明电极；和与所述第二透明电极由相同的导电膜形成的透明连接层，所述源极连接层经由所述透明连接层与所述栅极连接层电连接，所述氧化物半导体层和所述第一透明电极由相同的氧化物膜形成，所述栅极绝缘层形成在所述栅极连接层上，所述源极连接层与由所述氧化物膜形成的氧化物层的上表面接触，在所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层形成有在从所述基板的法线方向看时与所述栅极连接层重叠的接触孔，所述源极连接层和所述氧化物层的一部分在所述接触孔内接触，所述氧化物层中的在所述接触孔内与所述透明连接层接触的部分的电阻小于所述氧化物半导体层的电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380033025.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
