[发明专利]氮化物半导体器件的电极构造及其制造方法以及氮化物半导体场效应晶体管在审
| 申请号： | 201380031752.8 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104380445A | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | 栗田大佑 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/205;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据该氮化物半导体器件的电极构造，欧姆电极(111、112)从氮化物半导体叠层体(105)的凹部(116、119)起不与AlGaN阻挡层(104)的表面(104A)接触地形成至绝缘膜(107)的表面(107C)，绝缘膜(107)覆盖AlGaN阻挡层(104)的表面(104A)。因此，在通过干式蚀刻形成欧姆电极(111、112)时，能够利用绝缘膜(107)保护AlGaN阻挡层(104)的表面(104A)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 电极 构造 及其 制造 方法 以及 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体器件的电极构造，其特征在于，具备：氮化物半导体叠层体(105)，该氮化物半导体叠层体(105)具有异质界面并且具有从表面向上述异质界面凹陷的凹部(116、119)；绝缘膜(107)，该绝缘膜(107)形成在所述氮化物半导体叠层体(105)的表面(104A)上并且所述凹部(116、119)外；和欧姆电极(111、112)，该欧姆电极(111、112)以不与所述氮化物半导体叠层体(105)的表面(104A)接触的方式从所述氮化物半导体叠层体(105)的凹部(116、119)形成至所述绝缘膜(107)的表面(107C)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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