[发明专利]氮化物半导体器件的电极构造及其制造方法以及氮化物半导体场效应晶体管

权利要求书

1.一种氮化物半导体器件的电极构造，其特征在于，具备：

氮化物半导体叠层体(105)，该氮化物半导体叠层体(105)具有异质界面并且具有从表面向上述异质界面凹陷的凹部(116、119)；

绝缘膜(107)，该绝缘膜(107)形成在所述氮化物半导体叠层体(105)的表面(104A)上并且所述凹部(116、119)外；和

欧姆电极(111、112)，该欧姆电极(111、112)以不与所述氮化物半导体叠层体(105)的表面(104A)接触的方式从所述氮化物半导体叠层体(105)的凹部(116、119)形成至所述绝缘膜(107)的表面(107C)。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体器件的电极构造，其特征在于：

所述氮化物半导体叠层体(105)具有：

第一GaN类半导体层(103)；和

第二GaN类半导体层(104)，该第二GaN类半导体层(104)层叠在所述第一GaN类半导体层(103)上，并且与所述第一GaN类半导体层(103)形成所述异质界面。

3.一种氮化物半导体场效应晶体管，其特征在于：

具备权利要求1或2所述的氮化物半导体器件的电极构造，

所述氮化物半导体场效应晶体管具备：

由所述欧姆电极(111、112)构成的源极电极(111)；

由所述欧姆电极(111、112)构成的漏极电极(112)；和

在所述氮化物半导体叠层体(105)上形成的栅极电极(113)。

4.一种氮化物半导体器件的电极构造的制造方法，其特征在于：

在具有异质界面的氮化物半导体叠层体(105)上形成绝缘膜(107)，

通过蚀刻除去所述绝缘膜(107)的预先确定的区域使所述氮化物半导体叠层体(105)的表面(104A)露出，

以所述绝缘膜(107)作为掩模，对所述氮化物半导体叠层体(105)进行蚀刻，在所述氮化物半导体叠层体(105)上形成向所述异质界面凹陷的凹部(116、119)，

对所述绝缘膜(107)进行热处理，

在进行所述热处理后的绝缘膜(107)上和所述凹部(116、119)中形成金属膜(128)，

对所述金属膜(128)进行蚀刻，并进行热处理，以形成欧姆电极(111、112)，该欧姆电极(111、112)从所述凹部(116、119)形成至所述绝缘膜(107)的表面(107C)，而不与所述氮化物半导体叠层体(105)的表面(104A)接触。

5.如权利要求4所述的氮化物半导体器件的电极构造的制造方法，其特征在于：

对所述金属膜(128)进行热处理的温度，为比对所述绝缘膜(107)进行热处理的温度低的温度。