[发明专利]用于沉积第III族氮化物半导体膜的方法在审
| 申请号： | 201380031696.8 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN104508795A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 洛伦佐·卡斯塔尔迪;马丁·克拉策;海因茨·费尔泽;小罗伯特·马马扎 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康高级技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/02;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 刘灿强;王占杰 |
| 地址： | 列支敦士登*** | 国省代码： | 列支敦士登;LI |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于在基底上沉积第III族氮化物半导体膜的方法，包括：提供蓝宝石基底；将基底放置在真空室中；通过蚀刻修整基底的表面并提供经修整的表面；保持基底与加热器的基底面对表面分离预定距离；在保持基底与加热器的基底面对表面分离的同时，通过使用加热器将基底加热至某一温度；在保持基底与加热器的基底面对表面分离的同时，通过物理气相沉积法在基底的经修整的表面上沉积第III族氮化物半导体膜；以及在基底的经修整的表面上形成具有N面极性的外延第III族氮化物半导体膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 iii 氮化物 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在基底上沉积第III族氮化物半导体膜的方法，包括：提供蓝宝石基底；将基底放置在真空室中；通过蚀刻来修整基底的表面并提供经修整的表面；保持基底与加热器的基底面对表面分离预定距离；在保持基底与加热器的基底面对表面分离的同时，通过使用加热器将基底加热至温度T1；在保持基底与加热器的基底面对表面的分离同时，通过物理气相沉积法在基底的经修整的表面上沉积第III族氮化物半导体膜，并且在基底的经修整的表面上形成具有N面极性的外延第III族氮化物半导体膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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