[发明专利]图案形成方法和基板处理系统有效
| 申请号： | 201380030754.5 | 申请日： | 2013-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104380440A | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | 久保田和宏;清水隆吉 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23C16/42;C23C16/455;C23C16/511;H01L21/31;H01L21/316;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种图案形成方法，包括：利用由包含氟化碳(CF)类气体的蚀刻气体生成的等离子体，隔着掩模对基板上的含硅膜进行蚀刻，在该含硅膜上形成规定图案的蚀刻步骤；使用硅化合物气体，利用从氧化性气体或者氮化性气体生成的等离子体，使吸附在所述规定图案的表面的层氧化或者氮化，在上述规定图案的表面形成氧化硅膜或者氮化硅膜的成膜步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 处理 系统 | ||
【主权项】：
一种图案形成方法，其特征在于，包括：利用从包含氟化碳(CF)类气体的蚀刻气体生成的等离子体，隔着掩模对基板上的含硅膜进行蚀刻，在该含硅膜上形成规定图案的蚀刻步骤；和利用从氧化性气体或者氮化性气体生成的等离子体，将使用硅化合物气体吸附在所述规定图案的表面而成的层氧化或者氮化，在所述规定图案的表面形成氧化硅膜或者氮化硅膜的成膜步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
