[发明专利]具有裂纹耐受阻挡结构的半导体发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201380029690.7 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN104364914A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | M·多诺弗里欧;M·博格曼;K·哈伯恩;K·施奈德 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种发光装置，包括外延区域、在所述外延区域上的绝缘层、在所述绝缘层上的接合衬垫、以及在所述绝缘层中的裂纹减少特征。所述裂纹减少特征被配置用于减少所述绝缘层中的裂纹向所述绝缘层的外表面的扩展。还公开了相关的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 裂纹 耐受 阻挡 结构 半导体 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光装置，包括：外延区域；所述外延区域上的绝缘层；所述绝缘层上的接合衬垫；以及在所述绝缘层和所述接合衬垫之间的裂纹减少层，其中所述裂纹减少层被配置用于在所述外延层和所述接合衬垫之间减少所述绝缘层中的裂纹的扩展。
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