[发明专利]具有裂纹耐受阻挡结构的半导体发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

外延区域；

所述外延区域上的绝缘层；

所述绝缘层上的接合衬垫；以及

在所述绝缘层和所述接合衬垫之间的裂纹减少层，其中所述裂纹减少层被配置用于在所述外延层和所述接合衬垫之间减少所述绝缘层中的裂纹的扩展。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述裂纹减少层嵌入在所述绝缘层内。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述绝缘层包括孔，其中所述接合衬垫延伸穿过所述孔，并且其中所述接合衬垫在所述裂纹减少层上方横向地延伸，使得所述裂纹减少层位于所述接合衬垫与所述外延区域之间。

4.根据权利要求3所述的发光装置，其中所述接合衬垫的外周位于所述裂纹减少层的外周之内。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述接合衬垫包括阴极接合衬垫，所述发光装置还包括在所述绝缘层上的阳极接合衬垫；

其中所述裂纹减少层包括在所述阳极接合衬垫和所述外延区域之间的第一部分、以及在所述阴极接合衬垫和所述外延区域之间的第二部分，其中所述裂纹减少层的所述第一部分和第二部分被相互分隔。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其中通过所述绝缘层使所述裂纹减少层的所述第一部分与所述阳极接合衬垫相分隔，并且通过所述绝缘层使所述裂纹减少层的所述第二部分与所述阴极接合衬垫相分隔。

7.根据权利要求5所述的发光二极管，其中所述裂纹减少层的所述第一部分与所述阳极接触衬垫相接触，并且所述裂纹减少层的所述第二部分与所述阴极接合衬垫相接触。

8.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述裂纹减少层包括金属。

9.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述裂纹减少层包括聚合物。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括在所述绝缘层中的围绕所述接合衬垫的槽。

11.根据权利要求10所述的发光二极管，其中所述槽延伸完全穿过所述绝缘层。

12.根据权利要求10所述的发光二极管，其中所述槽延伸到所述绝缘层中但不完全穿过所述绝缘层。

13.根据权利要求10所述的发光二极管，还包括在所述外延区域上的金属层，其中所述绝缘层在所述金属层和所述接合衬垫之间，并且其中所述槽延伸完全穿过所述绝缘层到达所述金属层。

14.根据权利要求13所述的发光二极管，其中所述绝缘层覆盖所述金属层的最外面的边缘。

15.根据权利要求10所述的发光二极管，其中所述裂纹减少层在所述槽中被暴露。

16.根据权利要求10所述的发光二极管，其中通过所述绝缘层使所述裂纹减少层与所述槽相分隔。

17.一种发光装置，包括：

外延区域；

所述外延区域上的绝缘层；

所述绝缘层上的接合衬垫；以及

所述绝缘层中的裂纹减少特征，其中所述裂纹减少层被配置用于阻止所述绝缘层中的裂纹扩展到所述绝缘层的外表面。

18.根据权利要求17所述的发光装置，其中所述裂纹减少特征包括在所述绝缘层中的裂纹减少中间层。

19.根据权利要求17所述的发光装置，其中所述裂纹减少特征包括在所述绝缘层中的槽。

20.根据权利要求19所述的发光装置，其中所述槽围绕所述接合衬垫。

21.根据权利要求20所述的发光二极管，其中所述槽延伸完全穿过所述绝缘层。

22.根据权利要求20所述的发光二极管，其中所述槽延伸到所述绝缘层中但不完全穿过所述绝缘层。

23.根据权利要求20所述的发光二极管，还包括在所述外延区域上的金属层，其中所述绝缘层在所述金属层与所述接合衬垫之间，并且其中所述槽延伸完全穿过所述绝缘层到达所述金属层。

24.根据权利要求23所述的发光二极管，其中所述绝缘层覆盖所述金属层的最外面的边缘。