[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体晶片和电子设备有效
| 申请号： | 201380022760.6 | 申请日： | 2013-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN104272720B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 片冈豊隆 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H01L27/00;H01L27/14;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本技术方案涉及半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体晶片和电子设备，其允许提供可小型化的半导体装置。所述半导体装置设有半导体基板、形成在所述半导体基板上的配线层和提供在半导体基板的电路形成区域中的驱动电路。半导体装置(110)还设有电连接到驱动电路且在配线层的一侧暴露的焊垫电极(103)，以及提供在半导体基板和配线层的一侧且电连接到焊垫电极(103)的外连接端子(108)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 晶片 电子设备 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体基板；配线层，形成在所述半导体基板上；驱动电路，提供在所述半导体基板的电路形成区域中；焊垫电极，电连接到所述驱动电路且从所述配线层的侧面暴露；外连接端子，提供在所述半导体基板和该配线层的侧面中，并且电连接到所述焊垫电极；以及第二半导体基板，与所述半导体基板的形成所述配线层的侧面接合，其中，所述外连接端子连续地形成在从所述半导体基板的侧面至所述第二半导体基板的侧面。
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