[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体晶片和电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体基板；

配线层，形成在所述半导体基板上；

驱动电路，提供在所述半导体基板的电路形成区域中；

焊垫电极，电连接到所述驱动电路且从所述配线层的侧面暴露；

外连接端子，提供在所述半导体基板和该配线层的侧面中，并且电连接到所述焊垫电极；以及

第二半导体基板，与所述半导体基板的形成所述配线层的侧面接合，

其中，所述外连接端子连续地形成在从所述半导体基板的侧面至所述第二半导体基板的侧面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

光电转换单元，提供在所述电路形成区域中；以及

所述配线层提供在与用于所述电路形成区域中的所述光电转换单元的光接收表面相反的表面侧。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述外连接端子连续地形成在从所述半导体基板的光接收表面侧至所述第二半导体基板的配线层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述外连接端子的暴露表面之外的部分埋设在所述半导体基板以及所述半导体基板上的所述配线层中，并且

其中，所述焊垫电极通过所述外连接端子电连接到所述驱动电路。

5.一种半导体晶片，包括：

多个电路形成区域；

划线区域，布置为围绕所述电路形成区域；

驱动电路，提供在所述电路形成区域中；

焊垫电极，电连接到所述驱动电路且从所述电路形成区域的一端形成到所述划线区域；

开口部分，形成在所述焊垫电极上；以及

导体层，形成在所述开口部分的侧面和下表面上且电连接到所述驱动电路。

6.根据权利要求5所述的半导体晶片，还包括：

光电转换单元，提供在所述电路形成区域的每一个中；

所述驱动电路，提供在与所述电路形成区域的每一个中用于所述光电转换单元的光接收表面相反的表面侧；

开口部分，形成为从所述电路形成区域的一端到划线区域，所述开口部分的深度形成为从所述光接收表面起等于或大于所述驱动电路的深度；以及

导体层，形成在所述开口部分的侧面和下表面中，并且电连接到所述驱动电路。

7.一种半导体装置的制造方法，包括：

在半导体基板的电路形成区域中形成驱动电路的工艺；

在所述半导体基板上形成配线层的工艺；

在所述配线层中形成焊垫电极的工艺；

从所述电路形成区域到划线区域，形成开口部分的工艺，该开口部分用于在表面中暴露所述焊垫电极；

在所述开口部分的侧面中形成导体层的工艺；以及

在所述划线区域中使所述电路形成区域单片化的工艺。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，还包括：

在形成用于在表面中暴露所述焊垫电极的所述开口部分后进一步雕刻所述开口部分；以及

在所雕刻的开口部分中形成所述导体层。

9.一种半导体装置的制造方法，包括：

在半导体基板的电路形成区域中形成驱动电路的工艺；

在半导体基板上形成配线层的工艺；

在所述配线层中形成焊垫电极的工艺；

形成穿透电极的工艺，所述穿透电极穿透所述半导体基板且连接到所述焊垫电极；

从所述电路形成区域到划线区域形成开口部分的工艺，所述开口部分用于在表面中暴露所述焊垫电极且在侧面中暴露所述穿透电极；以及

在所述划线区域中使所述电路形成区域单片化的工艺。

10.一种电子设备，包括：

半导体装置，包括半导体基板、形成在所述半导体基板上的配线层、提供在所述半导体基板的电路形成区域中的驱动电路、电连接到所述驱动电路且从所述配线层的侧面暴露的焊垫电极、以及提供在所述半导体基板和所述配线层的侧面中并且电连接到所述焊垫电极的外连接端子；以及

信号处理电路，处理所述半导体装置的输出信号。