[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体晶片和电子设备

说明书

技术领域

本技术涉及半导体装置、半导体装置的制造方法、其中形成半导体装置的半导体晶片、以及应用半导体装置的电子设备。

背景技术

对作为用于电子设备中的半导体装置的固态成像装置(图像传感器)的要求在不断提高。对于固态成像装置，已经提出了所谓的背照式结构，其中驱动电路形成在半导体基板的表面上，并且后表面是光接收侧，以便改善相对于入射光的光电转换效率和灵敏度。在背照式固态成像装置中，可提高光接收表面的光接收孔径比，并且提高相同芯片面积上的光入射面积。

此外，与前照式相比，在背照式固态成像装置中，配线和接触焊垫可提供在传感器之下。因此，背照式固态成像装置的结构中配线提供在基板的表面上，并且因此与具有相同光接收面积的前照式固态成像装置相比可实现装置的小型化。于是，小型化了装置，从而能提高晶片表面的芯片产率(chip yield)。

同样，在背照式固态成像装置中，因为上表面上没有接触焊垫，所以从外面连接接触焊垫的方法是个问题。作为解决方法，已经提出了这样的方法，其中外连接端子提供在半导体装置的电路形成区域的外周边部分中，其中设置各种有源元件(例如，见PTL 1)。外连接端子构造为能在背照式固态成像装置的光接收表面侧从表面连接。

引用列表

专利文件

PTL 1：日本未审查专利申请公开No.2007-150283

发明内容

技术问题

作为上面描述的背照式固态成像装置，在半导体装置中要求在不改变电路形成区域面积的情况下小型化的技术。

在本技术方案中，目标是提供能小型化的半导体装置、电子设备、能使半导体装置小型化的半导体装置制造方法、以及其中形成半导体装置的半导体晶片。

问题的技术方案

本技术的半导体装置包括半导体基板、形成在半导体基板上的配线层和提供在半导体基板的电路形成区域中的驱动电路。于是，半导体装置还包括电连接到驱动电路且从配线层的侧面暴露的焊垫电极以及提供在半导体基板和配线层的侧面中并且电连接到焊垫电极的外连接端子。

于是，本技术的电子设备包括半导体装置以及处理半导体装置的输出信号的信号处理电路。

本技术的半导体晶片包括多个电路形成区域、布置为围绕电路形成区域的划线区域、以及提供在电路形成区域中的驱动电路。于是，半导体晶片还包括电连接到驱动电路且从电路形成区域的一端形成到划线区域的焊垫电极、形成在焊垫电极上的开口部分、以及形成在开口部分的侧面和下表面上且电连接到驱动电路的导体层。

本技术的半导体装置的制造方法包括在半导体基板的电路形成区域中形成驱动电路的工艺、在半导体基板上形成配线层的工艺、以及在配线层中形成焊垫电极的工艺。该制造方法还包括从电路形成区域到划线区域形成用于在表面中暴露焊垫电极的开口部分的工艺、在开口部分的侧面中形成导体层的工艺、以及在划线区域中使电路形成区域单片化(singulating)的工艺。

此外，本技术的半导体装置的制造方法包括在半导体基板的电路形成区域中形成驱动电路的工艺、在半导体基板上形成配线层的工艺、以及在配线层中形成焊垫电极的工艺。于是，该制造方法还包括形成穿透半导体基板且连接到焊垫电极的穿透电极的工艺、从电路形成区域到划线区域形成用于在表面中暴露焊垫电极且在侧面中暴露穿透电极的开口部分的工艺、以及在划线区域中使电路形成区域单片化的工艺。

根据本技术的半导体装置，因为外连接端子形成在半导体装置的侧面中，所以用于在半导体装置的上表面上提供端子的区域变得不必要。因此，能提高半导体芯片中电路区域的面积比。从而，在不影响半导体装置特性的情况下，可实现半导体装置和包括半导体装置的电子设备的小型化。

另外，根据本技术的半导体晶片，连接到驱动电路的焊垫电极通过从电路形成区域形成到划线区域的开口部分暴露在晶片表面中。形成连接到焊垫电极的导体层。从而，能在焊垫电极或导电层中执行半导体装置的检测。于是，在检测后，通过使电路形成区域在划线区域中单片化而去除划线区域中形成的焊垫电极，并且作为外连接端子的导体层保留在单片化的半导体装置的侧面上。从而，用于提供用于检测和外部连接的端子的区域不要求在半导体晶片和半导体装置的上表面中，并且因此可实现半导体装置的小型化。