[发明专利]半导体基板用清洗剂和半导体基板表面的处理方法有效
| 申请号： | 201380022014.7 | 申请日： | 2013-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN104254906B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 川田博美;水田浩德;前泽典明 | 申请（专利权）人： | 和光纯药工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C11D7/32;C11D7/36 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 丁香兰,孟伟青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种钨配线或钨合金配线的耐腐蚀性优异、在化学机械抛光工序后的半导体基板表面、特别是TEOS膜等硅氧化膜表面残存的二氧化硅或氧化铝等研磨微粒(颗粒)的除去性优异的半导体基板用清洗剂、以及半导体基板表面的处理方法。本发明涉及一种半导体基板用清洗剂以及半导体基板表面的处理方法，该半导体基板用清洗剂的特征在于，其为在具有钨配线或钨合金配线和硅氧化膜的半导体基板的化学机械抛光工序的后工序中使用的清洗剂，含有(A)膦酸系螯合剂、(B)分子内具有至少1个烷基或羟基烷基的一元伯胺或一元仲胺和(C)水，pH超过6且小于7。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基板用清 洗剂 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体基板用清洗剂，其特征在于，其为在具有钨配线或钨合金配线、和硅氧化膜的半导体基板的化学机械抛光工序的后工序中使用的清洗剂，该半导体基板用清洗剂含有(A)膦酸系螯合剂、(B)通式[6]表示的一元伯胺或者通式[7]表示的一元伯胺或一元仲胺、和(C)水，pH超过6且小于7，式[6]中，R10和R11各自独立地表示碳原子数为1～3的单羟基烷基，R12表示氢原子、碳原子数为1～3的烷基或碳原子数为1～3的单羟基烷基，式[7]中，R13表示氢原子或碳原子数为1～3的烷基，R14表示碳原子数为1～3的二羟基烷基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
