[发明专利]半导体基板用清洗剂和半导体基板表面的处理方法

权利要求书

1.一种半导体基板用清洗剂，其特征在于，其为在具有钨配线或钨合金配线、和硅氧化膜的半导体基板的化学机械抛光工序的后工序中使用的清洗剂，该半导体基板用清洗剂含有(A)膦酸系螯合剂、(B)通式[6]表示的一元伯胺或者通式[7]表示的一元伯胺或一元仲胺、和(C)水，pH超过6且小于7，

式[6]中，R¹⁰和R¹¹各自独立地表示碳原子数为1～3的单羟基烷基，R¹²表示氢原子、碳原子数为1～3的烷基或碳原子数为1～3的单羟基烷基，

式[7]中，R¹³表示氢原子或碳原子数为1～3的烷基，R¹⁴表示碳原子数为1～3的二羟基烷基。

2.如权利要求1所述的清洗剂，其中，所述(B)通式[6]表示的一元伯胺或者通式[7]表示的一元伯胺或一元仲胺为2-氨基-1,3-丙二醇、2-氨基-2-甲基-1,3-丙二醇、2-氨基-2-羟基甲基-1,3-丙二醇、2-氨基-2-乙基-1,3-丙二醇、3-氨基-1,2-丙二醇或3-甲基氨基-1,2-丙二醇。

3.如权利要求1所述的清洗剂，其中，所述(B)通式[6]表示的一元伯胺或者通式[7]表示的一元伯胺或一元仲胺为2-氨基-2-羟基甲基-1,3-丙二醇。

4.如权利要求1所述的清洗剂，其中，所述pH为6.2～6.8。

5.如权利要求1所述的清洗剂，其中，所述(A)膦酸系螯合剂由通式[1]、[2]或[3]表示，

式中，X表示氢原子或羟基，R¹表示氢原子或碳原子数为1～10的烷基，

式中，Q表示氢原子或-R³-PO₃H₂，R²和R³各自独立地表示亚烷基，Y表示氢原子、-R³-PO₃H₂或通式[4]表示的基团，

式中，Q和R³与上述相同，

式中，R⁴和R⁵各自独立地表示碳原子数为1～4的亚烷基，n表示1～4的整数；Z¹～Z⁴和n个Z⁵中的至少4个表示具有膦酸基的烷基，剩余的表示烷基。

6.如权利要求1所述的清洗剂，其中，所述(A)膦酸系螯合剂为1-羟基亚乙基-1,1'-二膦酸、次氮基三(亚甲基膦酸)、乙二胺四(亚甲基膦酸)或二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)。

7.如权利要求1所述的清洗剂，其中，所述半导体基板进一步具有硅氮化膜。

8.一种半导体基板表面的处理方法，其特征在于，该处理方法具有以下工序：

通过化学机械抛光对具有钨配线或钨合金配线、和硅氧化膜的半导体基板的表面进行处理的工序；和

用半导体基板用清洗剂对化学机械抛光工序后的所述半导体基板进行清洗的工序，所述半导体基板用清洗剂含有(A)膦酸系螯合剂、(B)通式[6]表示的一元伯胺或者通式[7]表示的一元伯胺或一元仲胺、和(C)水，pH超过6且小于7，

式[6]中，R¹⁰和R¹¹各自独立地表示碳原子数为1～3的单羟基烷基，R¹²表示氢原子、碳原子数为1～3的烷基或碳原子数为1～3的单羟基烷基，

式[7]中，R¹³表示氢原子或碳原子数为1～3的烷基，R¹⁴表示碳原子数为1～3的二羟基烷基。

9.如权利要求8所述的处理方法，其中，所述(B)通式[6]表示的一元伯胺或者通式[7]表示的一元伯胺或一元仲胺为2-氨基-1,3-丙二醇、2-氨基-2-甲基-1,3-丙二醇、2-氨基-2-羟基甲基-1,3-丙二醇、2-氨基-2-乙基-1,3-丙二醇、3-氨基-1,2-丙二醇或3-甲基氨基-1,2-丙二醇。