[发明专利]立式耐高压半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种即使在施加高电压时也不会产生栅极氧化膜击穿和可靠性变差、且能够具有低通态电阻的立式SiC‑MOSFET和IGBT以及它们的制造方法。在立式MOSFET中，代替阱区(6)，而将半导体层(3)和基极层(4)键合，以作为键合部而包含距相对置的全部的源极区域的中心最远且等距离、并且距源极区域的与中心最远离的端部最近且等距离的点。

主权项

一种立式耐高压半导体装置，具有：第1导电型的半导体基板；在所述半导体基板上形成、且浓度比所述半导体基板更低的第1导电型半导体层；在所述半导体层的表面选择性地形成的高浓度的第2导电型半导体层；在所述第1导电型半导体层和所述第2导电型半导体层之上形成、且浓度较低的半导体的第2导电型基极层；在该第2导电型基极层的表面层选择性地形成的第1导电型源极区域；以从表面贯通所述第2导电型基极层而到达所述第1导电型半导体层的方式形成的第1导电型阱区；栅极电极层，其隔着栅极绝缘膜设置在被所述第1导电型源极区域和所述第1导电型阱区所夹着的所述第2导电型基极层的表面露出部上的至少一部分；经由所述第1导电型源极区域和接触辅助层而与所述第2导电型基极层连接的源极电极；以及在所述第1导电型的半导体基板1的背面设置的漏极电极，所述立式耐高压半导体装置的特征在于，代替所述阱区，而使所述高浓度的第2导电型半导体层和所述第2导电型基极层在其一部分中进行了键合，以使得在俯视图所示时，作为键合部而包含距相对置的全部的所述源极区域的中心最远且等距离、并且距所述源极区域的与中心最远离的端部最近且等距离的点，分别在第2导电型半导体层和基极层上一体地设置键合部，所述键合部包含：在俯视图所示时，距相对置的全部的所述源极区域的中心最远且等距离、并且距所述源极区域的与中心最远离的端部最近且等距离的点。