[发明专利]基于氮化镓纳米线的电子器件有效
| 申请号： | 201380019885.3 | 申请日： | 2013-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN104205294B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | J.奥尔松;M.比约克 | 申请（专利权）人： | 六边钻公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;B82Y10/00;B82Y40/00;C30B29/38;C30B29/40;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 蒋骏,张懿 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 使用基于GaN的纳米线来生长具有c平面顶面的高质量的分立底座元件，以制作各种半导体器件，诸如用于功率电子器件的二极管和晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氮化 纳米 电子器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；多个III‑氮化物半导体纳米线，其基本上垂直于所述衬底的主表面延伸；多个分立III‑氮化物半导体台面，其中，所述多个台面中的每一个台面位于所述多个纳米线中的每一个纳米线周围和上面；以及至少一个电极，位于所述多个分立III‑氮化物半导体台面的每一个半导体台面上面，其中：绝缘生长掩膜位于所述衬底上面，所述多个III‑氮化物半导体纳米线从所述生长掩模中的开口突出；每个台面具有基本上平面的c‑平面上表面；每个台面包含III‑氮化物移位层，其上表面上形成基本上平面的c‑平面上表面;所述移位层包括GaN层、三元层或四元层以及其中所述基本上平面的c‑平面上表面与设在所述台面中的纳米线的上尖端移位；所述纳米线不是所述器件的有源器件区的部分，并且所述纳米线没有电连接到外部电路; 以及所述移位层是低掺杂的半导体或半绝缘层，其不是所述器件的有源器件区的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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