[发明专利]基于氮化镓纳米线的电子器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

多个III-氮化物半导体纳米线，其基本上垂直于所述衬底的主表面延伸；

多个分立III-氮化物半导体台面，其中，所述多个台面中的每一个台面位于所述多个纳米线中的每一个纳米线周围和上面；以及

至少一个电极，位于所述多个分立III-氮化物半导体台面的每一个半导体台面上面，

其中：

绝缘生长掩膜位于所述衬底上面，

所述多个III-氮化物半导体纳米线从所述生长掩模中的开口突出；

每个台面具有基本上平面的c-平面上表面；

每个台面包含III-氮化物移位层，其上表面上形成基本上平面的c-平面上表面;

所述移位层包括GaN层、三元层或四元层以及

其中所述基本上平面的c-平面上表面与设在所述台面中的纳米线的上尖端移位；

所述纳米线不是所述器件的有源器件区的部分，并且所述纳米线没有电连接到外部电路; 以及

所述移位层是低掺杂的半导体或半绝缘层，其不是所述器件的有源器件区的部分。

2.权利要求1所述的器件，其中，每一个台面具有在10⁵ ohm* cm以上的电阻率。

3.权利要求1所述的器件，其中，所述基本上平面的c-平面上表面基本上没有车螺纹位错，且其中，所述多个分立III-氮化物半导体台面的至少90%在所述基本上平面的c-平面上表面中不具有车螺纹位错。

4.权利要求1所述的器件，还包括位于所述基本上平面的c-平面上表面上面的至少一个半导体有源器件层，其中，所述至少一个半导体有源器件层具有小于5×l0¹⁶ cm^-2的杂质含量且基本上无车螺纹位错。

5.权利要求1所述的器件，其中：

所述多个半导体纳米线包括GaN纳米线；

所述衬底包括绝缘或半绝缘衬底；

所述半导体台面包括具有倾斜侧壁的分立GaN台面；以及

所述器件包括二极管或晶体管。

6.权利要求1所述的器件，其中，所述器件包括DC至AC功率逆变器，其包括串联或并联地电连接的多个晶体管和二极管。

7.权利要求1所述的器件，其中所述器件包括具有连接到共栅极线的栅极的多个晶体管，还包括覆盖所述晶体管的栅极电极或者所述栅极电极和源极电极的场板。

8.权利要求1所述的器件，其中，所述器件包括混合器件，其包括在所述衬底上面的所述多个台面中的至少一个台面中的HEMT和所述多个台面中的至少一个其它台面中的二极管。