[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，设置于活性区域(110)的耐压结构部(120)侧的终端部(110a)的终端p基极区域(2‑1)的深度比终端p基极区域(2‑1)内侧的p型基极区域(2)的深度要深。在半导体基板的一个主面的整个表面层设置有从半导体基板的一个主面开始到终端p基极区域(2‑1)的底部下方深度在20μm以内的n型高浓度区域(1c)。n型高浓度区域(1c)的杂质浓度n1与n‑型漂移区域(1)的杂质浓度n2的比满足1.0＜n1/n2≦5.0。由此，能够减小元件的动作温度较高时的反向漏电流，并且能改善通态电压与开关损耗之间的权衡关系，抑制关断时集电极电压突增的峰值电压。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：活性区域，该活性区域设置有以下绝缘栅结构，该绝缘栅结构包括：设置于第1导电型半导体基板的一个主面侧的第2导电型基极区域；选择性地设置于所述第2导电型基极区域内部的第1导电型发射极区域；以及栅极电极，所述栅极电极隔着栅极绝缘膜被设置在所述第2导电型基极区域的、由所述第1导电型半导体基板形成的漂移区域与所述第1导电型发射极区域所夹住的部分的表面上；耐压结构部，该耐压结构部包围所述活性区域的外周；第2导电型集电极层，该第2导电型集电极层设置于所述第1导电型半导体基板的另一个主面侧；第2导电型分离层，该第2导电型分离层设置于所述耐压结构部的外周部，在深度方向上贯穿所述第1导电型半导体基板从而与所述第2导电型集电极层电连接；以及第1导电型高浓度区域，从所述第1导电型半导体基板的一个主面开始，在比所述第2导电型基极区域的底部更靠近所述第2导电型集电极层一侧设置深度在20μm以内的该第1导电型高浓度区域，所述第1导电型高浓度区域的杂质浓度n1与所述漂移区域的杂质浓度n2的比满足3.0≦n1/n2≦5.0。