[发明专利]在硅衬底上生长的发光器件在审
| 申请号： | 201380015388.6 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN104205369A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | R.辛格;J.E.埃普勒 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/12;H01L33/44;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王兴秋;汪扬 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 根据本发明的实施例的方法包括在包括硅的衬底上生长半导体结构。半导体衬底包括与衬底直接接触的含铝层，以及布置在n型区与p型区之间的III族氮化物发光层。该方法还包括移除衬底。在移除衬底之后，形成与含铝层直接接触的透明材料。透明材料被纹理化。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 生长 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：半导体结构，其包括： III族氮化物发光层，其布置在n型区与p型区之间；和 含铝层，其中含铝层包括半导体结构的顶部表面；以及透明材料，其布置在含铝层上，其中透明材料的表面被纹理化。
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