[发明专利]在硅衬底上生长的发光器件

权利要求书

1.一种器件，包括：

半导体结构，其包括：

　　III族氮化物发光层，其布置在n型区与p型区之间；和

　　含铝层，其中含铝层包括半导体结构的顶部表面；以及

透明材料，其布置在含铝层上，其中透明材料的表面被纹理化。

2.权利要求1的器件，其中含铝层是AlN。

3.权利要求1的器件，其中n型区被布置在含铝层与III族氮化物发光层之间。

4.权利要求1的器件，其中透明材料具有至少2.0的折射率。

5.权利要求1的器件，其中透明材料包括硅的氧化物。

6.权利要求1的器件，其中透明材料包括硅的氮化物。

7.权利要求1的器件，其中透明材料的表面或者被粗糙化、纹理化或者被图案化。

8.权利要求1的器件，其中布置在含铝层与发光区之间的界面是非平面的。

9.权利要求8的器件，其中非平面的界面是在AlGaN层与GaN层之间的界面，所述GaN层是n型区的一部分。

10.权利要求1的器件，还包括多孔半导体层，其被布置在含铝层与III族氮化物发光层之间。

11.一种方法，包括：

在包括硅的衬底上生长半导体结构，所述半导体结构包括：

　　含铝层，其与衬底直接接触；和

　　III族氮化物发光层，其被布置在n型区与p型区之间；

移除衬底；

在移除衬底之后，形成与含铝层直接接触的透明材料；以及

纹理化透明材料。

12.权利要求11的方法，其中衬底包括硅层。

13.权利要求11的方法，其中含铝层是AlN。

14.权利要求11的方法，其中透明材料具有至少2.0的折射率。

15.权利要求11的方法，其中透明材料通过化学气相沉积形成。

16.权利要求11的方法，其中透明材料是非III族氮化物材料。

17.权利要求11的方法，还包括：

在生长含铝层之后，在半导体结构上形成非平面表面；

在形成非平面表面之后，生长布置在n型区与p型区之间的III族氮化物发光层。

18.权利要求11的方法，还包括：

在生长含铝层之后，形成多孔GaN层；

在形成多孔GaN层之后，生长布置在n型区与p型区之间的III族氮化物发光层。

19.一种器件，包括：

半导体结构，其包括：

　　III族氮化物发光层，其布置在n型区与p型区之间；和

　　含铝层；以及

　　多孔III族氮化物区，其布置在含铝层与III族氮化物发光层之间。

20.权利要求19的器件，其中多孔III族氮化物区为GaN，并且半导体结构生长在硅衬底上。