[发明专利]用于等离子体干法蚀刻设备的成比例且均匀的受控气流传递

摘要

本发明的实施例关于以改善的均匀性提供处理气体至处理腔室的方法与设备。本发明的一个实施例提供气体注入组件。气体注入组件包括入口枢纽、喷嘴与分配插入件，喷嘴具有抵靠入口枢纽设置的数个注入通道，分配插入件设置于喷嘴与入口枢纽之间。分配插入件具有一个或多个气体分配通道，一个或多个气体分配通道被配置以将入口枢纽连接至喷嘴的数个注入通道。一个或多个气体分配通道各自具有与数个出口连接的一个入口，且入口与数个出口的各个出口之间的距离是实质上相等的。

主权项

一种气体注入组件，包括：入口枢纽，该入口枢纽具有界定环形凹部的内表面；喷嘴，所述喷嘴具有抵靠所述入口枢纽设置的数个注入通道；及分配插入件，所述分配插入件设置于所述喷嘴与所述入口枢纽之间，其中所述分配插入件具有环形主体且配置于所述入口枢纽的所述环形凹部中，第一气体分配通道和第二气体分配通道包括形成在所述分配插入件与所述入口枢纽的所述内表面之间的通道，所述第一气体分配通道和所述第二气体分配通道各自将所述入口枢纽连接至所述喷嘴的数个注入通道，所述第一气体分配通道具有连接数个第一出口的一个第一入口，且所述第一入口与所述数个第一出口的各个出口之间的距离是实质上相等的，所述第二气体分配通道具有连接数个第二出口的一个第二入口，且所述第二入口与所述数个第二出口的各个出口之间的距离是实质上相等的，所述环形主体具有内径处的内壁和外径处的外壁，所述数个第一出口形成在所述环形主体的所述内壁上的沟槽与所述入口枢纽之间，且所述数个第二出口形成在所述环形主体的所述外壁上的沟槽与所述入口枢纽之间。