[发明专利]用于等离子体干法蚀刻设备的成比例且均匀的受控气流传递

说明书

技术领域

本发明的实施例大致关于基板处理系统与相关的基板处理。更明确地，本发明的实施例关于以改善的均匀性提供处理气体至处理腔室的方法与设备。

背景技术

在微电子器件制造过程中，感应耦合等离子体反应器用于多种工艺中。传统的感应耦合等离子体反应器通常包括真空腔室，真空腔室具有侧壁与顶板；工件支撑基座，工件支撑基座位于腔室中且通常面对顶板；气体入口，气体入口能够供应一个或多个处理气体进入腔室；及一个或多个线圈天线，线圈天线覆盖顶板。气体入口通常包括一个或多个气体管线，一个或多个气体管线耦接至具有数个注出口的喷嘴。气体管线通常在非对称方式下由一侧连接至喷嘴。气体管线的非对称连接造成来自喷嘴的处理气体的分配歪斜而造成非均匀的处理。

因此，需要以改善的均匀性输送处理气体的设备与方法。

发明内容

本发明的实施例大致关于基板处理系统与相关基板处理。更明确地，本发明的实施例关于以改善的均匀性提供处理气体至处理腔室的方法与设备。

本发明的一个实施例提供气体注入组件。气体注入组件包括入口枢纽、喷嘴与分配插入件，喷嘴具有抵靠入口枢纽设置的数个注入通道，分配插入件设置于喷嘴与入口枢纽之间。分配插入件具有一个或多个气体分配通道，一个或多个气体分配通道被配置以将入口枢纽连接至喷嘴的数个注入通道。一个或多个气体分配通道各自具有与数个出口连接的一个入口，且入口与数个出口的各个出口之间的距离是实质上相等的。

本发明的另一个实施例提供基板处理系统。基板处理系统包括界定处理空间的腔室外壳组件与设置于处理空间中的基板支撑件。腔室外壳组件包括具有中央开口的腔室盖。基板处理系统还包括设置在腔室盖上的气体注入组件。喷嘴的一部分通过腔室盖中的中央开口而被定位于处理空间中。气体注入组件包括入口枢纽、喷嘴与分配插入件，喷嘴具有抵靠入口枢纽设置的数个注入通道，分配插入件设置于喷嘴与入口枢纽之间。分配插入件具有一个或多个气体分配通道，一个或多个气体分配通道被配置以将入口枢纽连接至喷嘴的数个注入通道。一个或多个气体分配通道各自具有与数个出口连接的一个入口，且入口与数个出口的各个出口之间的距离是实质上相等的。

本发明的又另一个实施例提供处理基板的方法。方法包括将基板定位于基板处理系统中并通过基板处理系统的气体注入组件提供一或多种处理气体。气体注入组件包括入口枢纽、喷嘴与分配插入件，喷嘴具有抵靠入口枢纽配置的数个注入通道，分配插入件设置于喷嘴与入口枢纽之间。分配插入件具有一个或多个气体分配通道，一个或多个气体分配通道被配置以将入口枢纽连接至喷嘴的数个注入通道。一个或多个气体分配通道各自具有与数个出口连接的一个入口，且入口与数个出口的各个出口之间的距离是实质上相等的。

附图说明

为了详细理解本发明上述的特征，可参照某些实施例来理解简短概述于【发明内容】中的本发明的实施例的更明确描述，该等实施例中的一些实施例图示于附图中。然而，需注意附图仅图示本发明的典型实施例而因此附图不被视为本发明的范围的限制因素。

图1示意性描绘根据本发明的一个实施例的等离子体处理系统。

图2A是根据本发明的一个实施例的气体注入组件的放大剖面图。

图2B是图2A的气体注入组件的分解图。

图3A是根据本发明的一个实施例的气体枢纽的示意性俯视透视图。

图3B是图3A的气体枢纽的示意性剖面透视图。

图3C是显示图3A的气体枢纽中的气体路径的剖面侧视图。

图4是根据本发明的一个实施例的喷嘴插入件的示意性俯视透视图。

图5A是根据本发明的一个实施例的分配插入件的示意性俯视透视图。

图5B是图5A的分配插入件的示意性仰视透视图。

为了促进理解，已经尽可能应用相同的元件符号来标示附图中共有的相同元件。预期一个实施例揭露的元件可有利地用于其他实施例而不需特别详述。

具体实施方式

本发明的实施例大致关于以改善的均匀性提供处理气体至处理腔室的方法与设备。更明确地，本发明的实施例提供气体注入组件，气体注入组件包括入口枢纽，入口枢纽用以自源接收一种或多种气体；喷嘴，喷嘴用以通过数个注入通道注入一种或多种气体至处理腔室；及分配插入件，分配插入件在入口枢纽与喷嘴之间。