[发明专利]用于等离子体干法蚀刻设备的成比例且均匀的受控气流传递

权利要求书

1.一种气体注入组件，包括：

入口枢纽；

喷嘴，所述喷嘴具有抵靠所述入口枢纽设置的数个注入通道；及

分配插入件，所述分配插入件设置于所述喷嘴与所述入口枢纽之间，其中所述分配插入件具有一个或多个气体分配通道，所述一个或多个气体分配通道被配置以将所述入口枢纽连接至所述喷嘴的数个注入通道，所述一个或多个气体分配通道各自具有连接数个出口的一个入口，且所述入口与所述数个出口的各个出口之间的距离是实质上相等的。

2.如权利要求1所述的气体注入组件，其特征在于，所述入口枢纽具有外表面与内表面，所述内表面界定内部空间，所述内部空间具有开口，一个或多个入口通道形成于所述入口枢纽中，且所述一个或多个入口通道的各个入口通道具有第一端与第二端，所述第一端开放至所述外表面而所述第二端开放至所述内表面。

3.如权利要求2所述的气体注入组件，其特征在于，所述喷嘴经设置抵靠所述入口枢纽于所述内部空间的所述开口上，所述喷嘴关闭所述入口枢纽的所述内部空间，且所述数个注入通道将所述入口枢纽的所述内部空间连接至外部空间。

4.如权利要求3所述的气体注入组件，其特征在于，所述分配插入件设置于所述入口枢纽的所述内部空间中，所述入口经定位以连接所述入口枢纽的对应入口通道的所述第二端，且所述数个出口的各个出口开放至所述喷嘴中的所述数个注入通道的一个或多个注入通道。

5.如权利要求4所述的气体注入组件，其特征在于，所述一个或多个气体分配通道各自由所述入口分叉一或多次而至所述数个出口。

6.如权利要求5所述的气体注入组件，其特征在于，所述分配插入件的外表面接触所述入口枢纽的所述内表面，所述一个或多个气体分配通道包括数个渠道，所述数个渠道形成于所述入口枢纽的所述内表面与所述分配插入件的所述外表面上的数个沟槽之间。

7.如权利要求6所述的气体注入组件，其特征在于，所述分配插入件具有环形主体，且所述入口枢纽的所述内部空间是环形凹部，所述环形凹部被配置以容纳所述分配插入件的所述环形主体。

8.如权利要求7所述的气体注入组件，其特征在于，所述一个或多个气体分配通道的各自气体分配通道中的所述数个出口沿着所述分配插入件的所述环形主体的周边均匀地分布。

9.如权利要求8所述的气体注入组件，还包括弹簧元件，所述弹簧元件设置于所述喷嘴与所述分配插入件之间，其中所述弹簧元件按压所述分配插入件抵靠所述入口枢纽的所述内表面。

10.如权利要求4所述的气体注入组件，还包括对准元件，所述对准元件被配置以将所述分配插入件与所述入口枢纽对齐，其中所述对准元件是合销。

11.如权利要求4所述的气体注入组件，其特征在于，所述喷嘴是中空圆柱，所述中空圆柱具有围绕中央开口的圆柱形侧壁，且所述数个注入通道形成于所述圆柱形侧壁中。

12.如权利要求11所述的气体注入组件，还包括观察窗，所述观察窗设置于所述入口枢纽与所述喷嘴之间，其中所述入口枢纽具有在所述内部空间的径向内侧的中央开口，所述入口枢纽的所述中央开口与所述喷嘴的所述中央开口彼此对齐，且所述观察窗覆盖所述喷嘴的所述中央开口。

13.如权利要求11所述的气体注入组件，其特征在于，所述数个注入通道包括数个内侧注入通道与数个外侧注入通道，所述数个内侧注入通道开放至所述圆柱形侧壁的底端，而所述数个外侧注入通道开放至所述圆柱形侧壁的外表面。

14.一种基板处理系统，包括：

腔室外壳组件，所述腔室外壳组件界定处理空间，其中所述腔室外壳组件包括腔室盖，所述腔室盖具有中央开口；

基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述处理空间中；及

如权利要求1－13的任一项所述的气体注入组件，所述气体注入组件设置于所述腔室盖上，其中所述喷嘴的一部分通过所述腔室盖中的所述中央开口被定位于所述处理空间中。

15.一种处理基板的方法，包括：

将基板置于如权利要求14所述的基板处理系统中；

提供一种或多种处理气体通过所述基板处理系统的所述气体注入组件。