[发明专利]半导体放射线检测器以及核医学诊断装置无效

专利信息
申请号: 201380006840.2 申请日: 2013-01-25
公开(公告)号: CN104081225A 公开(公告)日: 2014-10-01
发明(设计)人: 小南信也 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: G01T1/24 分类号: G01T1/24;G01T1/161
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶;於毓桢
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种溴化铊半导体放射线检测器、以及使用了其的核医学诊断装置,所述溴化铊半导体放射线检测器即使在长时间的测量中也噪声增大少并且可获得稳定的测量性能。在使用溴化铊作为由负电极以及正电极(112、113)夹持的半导体晶体(111)而成的半导体放射线检测器(101A)中,形成了如下构成:用钝化层(114)被覆了半导体晶体(111)的表面之中除了被负电极或者正电极(112、113)被覆的面以外的剩余面,该钝化层(114)由铊的氟化物、铊的氯化物这两种物质之中的任一种物质、或者前述两种物质之中的任一种物质与铊的溴化物的混合物构成。
搜索关键词: 半导体 放射线 检测器 以及 核医学 诊断 装置
【主权项】:
一种半导体放射线检测器,其特征在于,其为使用由负电极以及正电极夹持的溴化铊的半导体晶体而成的半导体放射线检测器,所述半导体晶体的表面之中除了被负电极或者正电极被覆的面以外的剩余面被铊的氟化物、铊的氯化物这2种物质之中的任一种物质、或者所述2种物质之中的任一种物质与铊的溴化物的混合物被覆。
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