[发明专利]半导体放射线检测器以及核医学诊断装置无效
申请号: | 201380006840.2 | 申请日: | 2013-01-25 |
公开(公告)号: | CN104081225A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 小南信也 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | G01T1/24 | 分类号: | G01T1/24;G01T1/161 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;於毓桢 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种溴化铊半导体放射线检测器、以及使用了其的核医学诊断装置,所述溴化铊半导体放射线检测器即使在长时间的测量中也噪声增大少并且可获得稳定的测量性能。在使用溴化铊作为由负电极以及正电极(112、113)夹持的半导体晶体(111)而成的半导体放射线检测器(101A)中,形成了如下构成:用钝化层(114)被覆了半导体晶体(111)的表面之中除了被负电极或者正电极(112、113)被覆的面以外的剩余面,该钝化层(114)由铊的氟化物、铊的氯化物这两种物质之中的任一种物质、或者前述两种物质之中的任一种物质与铊的溴化物的混合物构成。 | ||
搜索关键词: | 半导体 放射线 检测器 以及 核医学 诊断 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体放射线检测器,其特征在于,其为使用由负电极以及正电极夹持的溴化铊的半导体晶体而成的半导体放射线检测器,所述半导体晶体的表面之中除了被负电极或者正电极被覆的面以外的剩余面被铊的氟化物、铊的氯化物这2种物质之中的任一种物质、或者所述2种物质之中的任一种物质与铊的溴化物的混合物被覆。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所,未经株式会社日立制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380006840.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有可调整的边界的图形界面
- 下一篇:电池管理设备和方法