[发明专利]半导体装置的制造方法以及用于该半导体装置的制造方法的胶粘薄膜

摘要

本发明的目的在于提供能够提高胶粘薄膜的切断可靠性并且能够抑制由胶粘薄膜造成的碎片污染的半导体装置的制造方法。本发明提供一种半导体装置的制造方法，其具有如下工序：在半导体晶片(4)的表面形成槽(4S)后，粘贴保护用粘合薄膜(44)，进行半导体晶片的背面磨削，使槽从背面露出的工序；在半导体晶片的背面粘贴胶粘薄膜，然后将保护用粘合薄膜剥离的工序；和沿着露出胶粘薄膜的槽照射波长355nm的激光，将胶粘薄膜切断的工序；胶粘薄膜的(a)波长355nm下的吸光系数为40cm^‑1以上、(b)50℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上且20MPa以下、并且(c)120℃下的拉伸储能弹性模量为0.3MPa以上且7MPa以下、或者120℃下的熔融粘度为2000Pa·s以上。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：在半导体晶片的表面形成未达到背面的槽的工序A、在形成有槽的所述半导体晶片的表面粘贴保护用粘合薄膜的工序B、进行所述半导体晶片的背面磨削，使所述槽从背面露出的工序C、在所述工序C后，在所述半导体晶片的背面粘贴胶粘薄膜的工序D、在所述工序D后，将所述保护用粘合薄膜剥离的工序E、和在所述工序E后，沿着露出所述胶粘薄膜的所述槽照射波长355nm的激光，将所述胶粘薄膜切断的工序F；所述胶粘薄膜的(a)波长355nm下的吸光系数为40cm^‑1以上、(b)50℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上且20MPa以下、并且(c)120℃下的拉伸储能弹性模量为0.3MPa以上且7MPa以下、或者120℃下的熔融粘度为2000Pa·s以上；所述胶粘薄膜含有作为热固性树脂的环氧树脂和酚醛树脂、作为热塑性树脂的丙烯酸类树脂、以及填料，将环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类树脂的合计重量设为A重量份，将填料的重量设为B重量份时，B/(A+B)为0以上且0.7以下。