[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201380004427.2 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN104011843B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 藤野纯司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 吕晓阳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提高半导体装置中的贴片的可靠性。本发明的半导体装置具有：在背面侧形成了金属镀层的半导体元件、与半导体元件隔开间隔并平行配置着的金属制的引线框架、设在半导体元件与引线框架之间并接合在金属镀层上的第1接合层、和设在半导体元件与引线框架之间并将第1接合层和引线框架接合的第2接合层。第1接合层的中央部朝着引线框架鼓出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有：在背面侧形成了金属镀层的半导体元件；与上述半导体元件隔开间隔并平行配置着的金属制的引线框架；第1接合层，设在上述半导体元件与上述引线框架之间，接合于上述金属镀层；以及第2接合层，设在上述半导体元件与上述引线框架之间，将上述第1接合层和上述引线框架接合；其特征在于，上述第1接合层的中央部朝着上述引线框架鼓出，上述第1接合层的熔点比上述第2接合层的熔点高；上述第2接合层被缝隙分割成多个区域；上述第1接合层是单一的连续的层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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