[实用新型]一种用于制备碳化硅晶体的坩埚有效
| 申请号： | 201320889289.8 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN203820924U | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 高宇;邓树军;段聪;赵梅玉;陶莹 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 071000 河北省保定市北二*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及碳化硅晶体制备领域，特别涉及一种用于制备碳化硅晶体的坩埚。包括坩埚上盖、坩埚底和挡板，所述坩埚上盖设置在所述坩埚底的上部，所述坩埚上盖与所述坩埚底形成容纳腔，所述挡板设置在所述容纳腔内，且所述挡板的边缘与所述坩埚底的侧壁紧密接触；所述挡板上设有通孔。本实用新型的技术方案通过在坩埚挡板上设置通孔，并根据所需掺杂的浓度和掺杂分布情况，对通孔的数量、位置、直径以及挡板的厚度进行调整，使晶体生长过程中沉积入晶体内的掺杂剂浓度保持基本恒定，提高晶体电阻率轴向和径向均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 碳化硅 晶体 坩埚 | ||
【主权项】：
一种用于制备碳化硅晶体的坩埚，其特征在于：包括坩埚上盖、坩埚底和挡板，所述坩埚上盖设置在所述坩埚底的上部，所述坩埚上盖与所述坩埚底形成容纳腔，所述挡板设置在所述容纳腔内，且所述挡板的边缘与所述坩埚底侧壁紧密接触；所述挡板上设有至少一个通孔。
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