[实用新型]高导热性金属电路半导体制冷片有效
| 申请号： | 201320870742.0 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN203644822U | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 严圣军;李权宪 | 申请（专利权）人： | 江苏天楹环保科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/02 | 分类号： | H01L35/02;H01L35/32 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 226600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 高导热性金属电路半导体制冷片，属于热电与半导体制冷和制热技术领域，至少包括两层叠层式排列的具有类钻碳镀膜的金属基板，在相邻的两层具有类钻碳镀膜的金属基板之间设置若干半导体制冷晶粒和若干导流片，所述导流片分别焊接在类钻碳金属基板上，所述半导体制冷晶粒通过导流片串联电连接。本实用新型可使传导系数远大于10W/m.k，均达到或超过国家标准；还实现了制冷效率高和导热效果好的目的。另外，本实用新型采用具有类钻碳镀膜的金属基板，大大提高了产品的刚性，从而避免使用原有同类产品的陶瓷材料出现的破损现象，利于提高产品的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 导热性 金属 电路 半导体 制冷 | ||
【主权项】：
高导热性金属电路半导体制冷片，其特征在于至少包括两层叠层式排列的具有类钻碳镀膜的金属基板，在相邻的两层具有类钻碳镀膜的金属基板之间设置若干半导体制冷晶粒和若干导流片，所述导流片分别焊接在类钻碳金属基板上，所述半导体制冷晶粒通过导流片串联电连接。
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