[实用新型]高导热性金属电路半导体制冷片有效
| 申请号： | 201320870742.0 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN203644822U | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 严圣军;李权宪 | 申请（专利权）人： | 江苏天楹环保科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/02 | 分类号： | H01L35/02;H01L35/32 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 226600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导热性 金属 电路 半导体 制冷 | ||
【权利要求书】：
1.高导热性金属电路半导体制冷片，其特征在于至少包括两层叠层式排列的具有类钻碳镀膜的金属基板，在相邻的两层具有类钻碳镀膜的金属基板之间设置若干半导体制冷晶粒和若干导流片，所述导流片分别焊接在类钻碳金属基板上，所述半导体制冷晶粒通过导流片串联电连接。
2.根据权利要求1所述高导热性金属电路半导体制冷片，其特征在于所述具有类钻碳镀膜的金属基板的厚度为0.5～5mm，具有类钻碳镀膜的金属基板的导热系数为10～475W/m.k。
3.根据权利要求1所述高导热性金属电路半导体制冷片，其特征在于所述具有类钻碳镀膜的金属基板中金属为铝、铜、钢、铁、合金中的任意一种。
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