[实用新型]一种用于硅微芯片电学特性检测的圆片级测试装置有效
| 申请号： | 201320816923.5 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN203760428U | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 肖鹏;孙香政;任伶 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业第六一八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 杜永保 |
| 地址： | 710065 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于硅微芯片电学特性检测的圆片级测试装置。本实用新型的特征为：所述测试装置包括底座、斜台、限位梁和若干探针；所述底座为中心有通孔的矩形平板；所述斜台通固定在底座上；探针安装在斜台的斜面上，以辐射状排列，探针针头集中于底座中间的通孔的中心位置；所述底座的三条边分别设置有限位梁。本实用新型在对被测芯片完成初次探针位置调节后，就可实现同类芯片的多次和重复测试。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 芯片 电学 特性 检测 圆片级 测试 装置 | ||
【主权项】：
一种用于硅微芯片电学特性检测的圆片级测试装置，其特征为：所述测试装置包括底座、斜台、限位梁和若干探针；所述底座为中心有通孔的矩形平板；所述斜台通固定在底座上；探针安装在斜台的斜面上，以辐射状排列，探针针头集中于底座中间的通孔的中心位置；所述底座的三条边分别设置有限位梁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
