[实用新型]基于二维电子气的氢气传感器芯片

摘要

本实用新型涉及一种基于二维电子气的氢气传感器芯片，包括衬底，其特征是：在所述衬底上表面设置分隔的左芯片和右芯片，左芯片和右芯片分别包括设置在衬底上表面的GaN层，在GaN层上表面设置AlGaN层，在GaN层和AlGaN层之间形成二维电子气；在所述AlGaN层上表面分别蒸镀形成漏极金属层、源极金属层和栅极金属层；在所述右芯片的栅极金属层上生长氢气隔离层，氢气隔离层覆盖栅极金属层的上表面和侧面。本实用新型利用二维电子气载流子浓度受纵向电压影响的原理，栅极金属层在不同氢气浓度的电离下产生不同的肖特基势垒，肖特基势垒作用于二维电子气的第三维方向，使电子气载流子发生变化；不同浓度氢气产生不同肖特基势垒，测得不同电子气电流，从而测试出氢气浓度。

主权项

一种基于二维电子气的氢气传感器芯片，包括衬底（1），其特征是：在所述衬底（1）上表面设置相互分隔的左芯片（11）和右芯片（12），左芯片（11）和右芯片（12）分别包括设置在衬底（1）上表面的GaN层（2），在GaN层（2）上表面设置AlGaN层（4），在GaN层（2）和AlGaN层（4）之间形成二维电子气（3）；在所述AlGaN层（4）上表面分别蒸镀形成漏极金属层（5）、源极金属层（6）和栅极金属层（7）；在所述右芯片（12）的栅极金属层（7）上生长氢气隔离层（8），氢气隔离层（8）覆盖栅极金属层（7）的上表面和侧面。