[实用新型]基于二维电子气的氢气传感器芯片有效
| 申请号： | 201320754832.3 | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN203800048U | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 邓群雄;郭文平;柯志杰;黄慧诗 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/778 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;刘海 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 二维 电子 氢气 传感器 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于二维电子气的氢气传感器芯片，包括衬底（1），其特征是：在所述衬底（1）上表面设置相互分隔的左芯片（11）和右芯片（12），左芯片（11）和右芯片（12）分别包括设置在衬底（1）上表面的GaN层（2），在GaN层（2）上表面设置AlGaN层（4），在GaN层（2）和AlGaN层（4）之间形成二维电子气（3）；在所述AlGaN层（4）上表面分别蒸镀形成漏极金属层（5）、源极金属层（6）和栅极金属层（7）；在所述右芯片（12）的栅极金属层（7）上生长氢气隔离层（8），氢气隔离层（8）覆盖栅极金属层（7）的上表面和侧面。
2.如权利要求1所述的基于二维电子气的氢气传感器芯片，其特征是：所述栅极金属层（7）为Pt金属，栅极金属层（7）与AlGaN层（4）形成肖特基接触。
3.如权利要求1所述的基于二维电子气的氢气传感器芯片，其特征是：所述氢气隔离层（8）为SiO2 或Si3N4。
4.如权利要求1所述的基于二维电子气的氢气传感器芯片，其特征是：所述衬底（1）为蓝宝石衬底、Si衬底或SiC衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
