[实用新型]一种圆片级硅通孔内的封装结构及其应用

摘要

本实用新型涉及一种圆片级硅通孔内的封装结构及其应用，属于半导体芯片封装技术领域。其包括表层嵌置芯片电极（200）的硅基本体（100），在硅基本体（100）的芯片电极（200）下方设置硅通孔（110），硅通孔（110）的内壁设置绝缘层（310），绝缘层（310）的表面设置结构保护层（320），在所述硅通孔（110）内的芯片电极（200）下方开设先后贯穿结构保护层（320）、绝缘层（310）的微孔（301），在结构保护层（320）上选择性地设置金属线路层（400），金属线路层（400）通过微孔（301）与芯片电极（200）实现电气连通，金属线路层（400）的表面设置线路保护层（500）。本实用新型能够避免硅通孔内的绝缘层剥落、开裂、覆盖不足等缺陷，提高硅通孔相关产品的成品率和可靠性。

主权项

一种圆片级硅通孔内的封装结构，包括表层嵌置芯片电极（200）的硅基本体（100），在所述硅基本体（100）的芯片电极（200）下方设置硅通孔（110），所述硅通孔（110）的顶部为芯片电极（200）的下表面，所述硅通孔（110）的内壁设置绝缘层（310），所述绝缘层（310）沿硅通孔（110）的内壁向硅通孔（110）外延展， 其特征在于：所述绝缘层（310）的表面设置结构保护层（320），在所述硅通孔（110）内的芯片电极（200）下方开设先后贯穿结构保护层（320）、绝缘层（310）的微孔（301），在所述结构保护层（320）上选择性地设置金属线路层（400），所述金属线路层（400）通过微孔（301）与芯片电极（200）实现电气连通，所述金属线路层（400）的表面设置线路保护层（500）。