[实用新型]一种圆片级硅通孔内的封装结构及其应用

权利要求书

1.一种圆片级硅通孔内的封装结构，包括表层嵌置芯片电极（200）的硅基本体（100），在所述硅基本体（100）的芯片电极（200）下方设置硅通孔（110），所述硅通孔（110）的顶部为芯片电极（200）的下表面，所述硅通孔（110）的内壁设置绝缘层（310），所述绝缘层（310）沿硅通孔（110）的内壁向硅通孔（110）外延展， 

其特征在于：所述绝缘层（310）的表面设置结构保护层（320），在所述硅通孔（110）内的芯片电极（200）下方开设先后贯穿结构保护层（320）、绝缘层（310）的微孔（301），在所述结构保护层（320）上选择性地设置金属线路层（400），所述金属线路层（400）通过微孔（301）与芯片电极（200）实现电气连通，所述金属线路层（400）的表面设置线路保护层（500）。

2.根据权利要求1所述的圆片级硅通孔内的封装结构，其特征在于：所述结构保护层（320）沿绝缘层（310）分布，且其延展面积不小于绝缘层（310）的延展面积。

3.根据权利要求1所述的圆片级硅通孔内的封装结构，其特征在于：所述微孔（301）的横截面尺寸小于芯片电极（200）的横截面尺寸。

4.根据权利要求1至3中任一种所述的圆片级硅通孔内的封装结构，其特征在于：所述微孔（301）在芯片电极（200）下方先后贯穿结构保护层（320）、绝缘层（310）和芯片电极（200）。

5.根据权利要求1至3中任一种所述的圆片级硅通孔内的封装结构，其特征在于：在硅通孔（110）内，所述硅通孔（110）、结构保护层（320）、绝缘层（310）、微孔（301）的对称轴线分别与芯片电极（200）的纵向中心线重合。

6.一种圆片级图像传感器的封装结构，包括表层嵌置若干个芯片电极（200）的硅基本体（100），所述硅基本体（100）的上表面的中央设置芯片感应区（800），所述芯片感应区（800）的周边设置上下中空的隔离层（600），所述隔离层（600）上设置盖板（700），所述盖板（700）与隔离层（600）在硅基本体（100）的上表面形成容纳芯片感应区（800）的空腔（610），在所述硅基本体（100）的芯片电极（200）下方设置硅通孔（110），

其特征在于：所述硅通孔（110）采用如权利要求1至5中任一种圆片级硅通孔内的封装结构，所述绝缘层（310）、结构保护层（320）和金属线路层（400）依次延展至硅基本体（100）的下侧，所述绝缘层（310）与金属线路层（400）之间为所述结构保护层（320），所述金属线路层（400）的终端设置线路保护层开口（511）。

7.根据权利要求6所述的圆片级图像传感器的封装结构，其特征在于：所述线路保护层开口（511）内设置焊球（900）。

8.根据权利要求6所述的圆片级图像传感器的封装结构，其特征在于：所述盖板（700）为玻璃或硅片。

9.根据权利要求6至8中任一种所述的圆片级图像传感器的封装结构，其特征在于：所述隔离层（600）设置于芯片电极（200）的上方。

10.根据权利要求9所述的圆片级图像传感器的封装结构，其特征在于：所述微孔（301）在芯片电极（200）下方先后贯穿结构保护层（320）、绝缘层（310）和芯片电极（200），直达隔离层（600）的内部。